半导体发光装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105340088B

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201480033276.8

    申请日:2014-06-02

    Abstract: 一种半导体发光装置,其特征在于,由半导体发光元件(100)及波长转换构件而构成,该半导体发光元件(100)具有将至少2层以上的半导体层(103)(105)与发光层(104)层叠而构成的层叠半导体层(110),并发出第一光,该波长转换构件至少覆盖半导体发光元件(100)的一部分,吸收第一光的至少一部分,并发出波长与第一光不同的第二光,半导体发光元件(100)在构成半导体发光元件(100)的任一主面上,具备微细结构层作为构成要素,该微细结构层包含由朝面外方向延伸的多个凸部或凹部构成的点,微细结构层构成至少由点间的间距、点径或点高度中的任一个所控制的二维光子晶体(102),且二维光子晶体(102)至少具有各为1μm以上的2个以上的周期。

    光学基板、半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法

    公开(公告)号:CN104205370B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201380018450.7

    申请日:2013-03-29

    Abstract: 光学基板(1)在表面设置有凹凸结构(12),所述凹凸结构(12)包括独立的多个凸部(131~134)以及设置于各凸部(131~134)之间的凹部的平均间隔Pave满足50nm≤Pave≤1500nm,且具有相对于平均凸部高度Have满足0.6Have≥hn≥0的凸部高度hn的凸部(133)以满足1/10000≤Z≤1/5的概率Z存在。若将光学基板(1)用于半导体发光元件中的话,通过使半导体层中的位错分散化并降低位错密度,能够改善内量子效率IQE,且利用光散射消除波导模式来提高光提取效率LEE,提高半导体发光元件的发光效率。(14)。凹凸结构(12)的相邻的凸部(131~134)间

    透明天线和RF标签
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115136144A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202180014276.3

    申请日:2021-02-08

    Abstract: 一种透明天线,其具有透明基材、配置在前述透明基材上的天线部以及与该天线部电接合的接合部,前述接合部具有第一导电性图案和未形成该第一导电性图案的第一开口部,前述天线部具有第二导电性图案和未形成该第二导电性图案的第二开口部,前述第一导电性图案的表面自由能E1为60mJ/m2以下,前述第一开口部处的前述透明基材的表面自由能E0大于前述表面自由能E1。

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