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发明授权
半导体发光装置失效转让

公开(公告)号：CN105340088B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201480033276.8

申请日：2014-06-02

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 山口布士人 , 白仓奈央

IPC: H01L33/22 , H01L33/50 , H01L33/58

Abstract: 一种半导体发光装置，其特征在于，由半导体发光元件(100)及波长转换构件而构成，该半导体发光元件(100)具有将至少2层以上的半导体层(103)(105)与发光层(104)层叠而构成的层叠半导体层(110)，并发出第一光，该波长转换构件至少覆盖半导体发光元件(100)的一部分，吸收第一光的至少一部分，并发出波长与第一光不同的第二光，半导体发光元件(100)在构成半导体发光元件(100)的任一主面上，具备微细结构层作为构成要素，该微细结构层包含由朝面外方向延伸的多个凸部或凹部构成的点，微细结构层构成至少由点间的间距、点径或点高度中的任一个所控制的二维光子晶体(102)，且二维光子晶体(102)至少具有各为1μm以上的2个以上的周期。

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