公开(公告)号：CN101379574B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780004156.5

申请日：2007-11-15

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野泽宣介 ,  西内武司 ,  广泽哲 ,  槙智仁

IPC: H01F41/02 ,  B22F1/00 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  B22F3/26 ,  B22F9/04 ,  C22C38/00 ,  H01F1/053 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F41/0273 ,  B22F3/11 ,  B22F2003/248 ,  B22F2998/10 ,  C22C38/005 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0573 ,  H01F1/0576 ,  H01F1/0577 ,  H01F1/0578 ,  H01F41/0293 ,  B22F3/02 ,  B22F3/24

Abstract: 在本发明中，准备平均粒径小于20μm的R-Fe-B系稀土合金粉末，将R-Fe-B系稀土合金粉末成形、制作压粉体。本发明实施以下工序：HD工序，在氢气中，在550℃以上小于1000℃的温度下，对压粉体实施热处理，由此引起氢化和歧化反应；和DR工序，在真空或惰性气氛中，在550℃以上小于1000℃的温度下，对压粉体实施热处理，由此引起脱氢和再化合反应，制作密度为真密度的60％以上90％以下且具有平均粒径0.01～2μm的微晶粒的多孔体。然后，在真空或惰性气氛中，在750℃以上小于1000℃的温度下，对多孔材料实施热处理，由此进行致密化，使密度达到真密度的93％以上，制作R-Fe-B系微晶高密度磁铁。

公开(公告)号：CN101346780B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200780000911.2

申请日：2007-05-18

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 西内武司 ,  野泽宣介 ,  广泽哲 ,  槙智仁 ,  户次克典

IPC: H01F1/08 ,  H01F1/06 ,  H01F1/053 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F1/0573 ,  H01F1/0576 ,  H01F1/0578 ,  H01F1/0579 ,  H01F41/028 ,  Y10T428/12153

Abstract: 本发明提供一种R-Fe-B系多孔质磁铁和其制造方法。本发明的R-Fe-B系多孔质磁铁是具有平均结晶粒径0.1μm以上1μm以下的Nd2Fe14B型结晶相的集合组织，至少一部分具有长径1μm以上20μm以下的细孔的多孔质。

公开(公告)号：CN111052276B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201880053770.9

申请日：2018-09-21

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野泽宣介 ,  重本恭孝 ,  西内武司

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/10 ,  B22F3/24 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057

Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R1－T1－B系烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu－Co系合金的工序；使上述合金的至少一部分与上述烧结体的表面的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度实施第一热处理的工序；和对实施第一热处理后的R1－T1－B系烧结体在真空或不活泼气体气氛中以450℃以上600℃以下的温度实施第二热处理的工序。R1、R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr的至少一者。T1相对于B的mol比([T1]/[B])超过14.0且为15.0以下。

公开(公告)号：CN110024064B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201780074435.2

申请日：2017-11-30

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野泽宣介 ,  重本恭孝 ,  西内武司

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/10 ,  B22F3/24 ,  C21D9/00 ,  C22C28/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057

Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体在实施方式中具有R：27mass％以上37mass％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr中的至少一方)、B：0.75mass％以上0.97mass％以下、Ga：0.1mass％以上1.0mass％以下、Cu：0mass％以上1.0mass％以下、T：61.03mass％以上(T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一种，必须含有Fe，Fe的含量相对于T整体为80mass％以上)的组成。T相对于B的摩尔比([T]/[B])超过14.0。磁体表面部的R量比磁体中央部的R量多，磁体表面部的Ga量比磁体中央部的Ga量多。磁体表面部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])比磁体中央部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])高。

公开(公告)号：CN106024235A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610117968.1

申请日：2016-03-02

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野泽宣介 ,  古泽大介 ,  西内武司 ,  深川智机

IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08

Abstract: 提供一种R－T－B系烧结磁体，其特征在于，下述式(1)所示的组成满足下述式(2)～(10)，uRwBaCxGazAlvCoqTigFejM(1)29.0≤u≤34.0(2)、0.80≤w≤0.92(3)、0.10≤a≤0.20(4)、0.3≤x≤0.8(5)、0.05≤z≤0.5(6)、0≤v≤3.0(7)、0.15≤q≤0.29(8)、58.29≤g≤69.60(9)、0≤j≤2.0(10)，在将g除以Fe的原子量而得的值设为g’、将v除以Co的原子量而得的值设为v’、将z除以Al的原子量而得的值设为z’、将w除以B的原子量而得的值设为w’、将a除以C的原子量而得的值设为a’、将q除以Ti的原子量而得的值设为q’时，满足下述式(A)及(B)。－0.02≤(g’+v’+z’)－(14×(w’+a’－2×q’))(A)，0.02≥(g’+v’+z’)－(14×(w’+a’－q’))(B)。

公开(公告)号：CN105453194A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043012.0

申请日：2014-08-11

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 西内武司 ,  神田乔之 ,  石井伦太郎 ,  国吉太 ,  佐藤铁兵

IPC: H01F1/057 ,  B22F3/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F1/0577 ,  C22C30/02 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  C22C2202/02

Abstract: 提供一种抑制Dy的含量且具有高Br和高HcJ的R－T－B系烧结磁体。一种R－T－B系烧结磁体，其用式uRwBxGayCuzAlqM余量T(R包含RL和RH，RL为Nd和/或Pr，RH为Dy和/或Tb、T为Fe，可以用Co置换10质量％以下的Fe，M为Nb和/或Zr，且包含不可避免的杂质，u、w、x、y、z、q表示质量％)表示，RH为R－T－B系烧结磁体的5质量％以下，0.4≤x≤1.0，0.07≤y≤1.0，0.05≤z≤0.5，0≤q≤0.1，0.100≤y/(x+y)≤0.340，在将氧量(质量％)设为α、将氮量(质量％)设为β、将碳量(质量％)设为γ时，v＝u－(6α+10β+8γ)，v、w满足v≤32.0、0.84≤w≤0.93、－12.5w+38.75≤v≤－62.5w+86.125。

公开(公告)号：CN111052276A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880053770.9

申请日：2018-09-21

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野泽宣介 ,  重本恭孝 ,  西内武司

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/10 ,  B22F3/24 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057

Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R1－T1－B系烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu－Co系合金的工序；使上述合金的至少一部分与上述烧结体的表面的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度实施第一热处理的工序；和对实施第一热处理后的R1－T1－B系烧结体在真空或不活泼气体气氛中以450℃以上600℃以下的温度实施第二热处理的工序。R1、R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr的至少一者。T1相对于B的mol比([T1]/[B])超过14.0且为15.0以下。

公开(公告)号：CN107251175B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201680010497.2

申请日：2016-02-16

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 重本恭孝 ,  西内武司 ,  国吉太 ,  野泽宣介

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  C22C28/00 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08

Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备以[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上作为主要特征的R1－T1－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd，且为65mol％以上95mol％以下，[Cu]/([Ga]+[Cu])以摩尔比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，并在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。

公开(公告)号：CN105960690B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201580007076.X

申请日：2015-02-27

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 深川智机 ,  野泽宣介 ,  西内武司 ,  古泽大介 ,  坂下信一郎

IPC: H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08

Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，下述式(1)所示的组成满足下述式(2)～(9)，uRwBxGazAlvCoqTigFejM(1)(R为稀土类元素中的至少一种且必须包含Nd，M为R、B、Ga、Al、Co、Ti和Fe以外的元素，u、w、x、z、v、q、g、j表示质量％)；29.0≤u≤32.0(2)(其中，重稀土类元素RH为R‑T‑B系烧结磁体的10质量％以下)；0.93≤w≤1.00(3)0.3≤x≤0.8(4)；0.05≤z≤0.5(5)；0≤v≤3.0(6)；0.15≤q≤0.28(7)；60.42≤g≤69.57(8)；0≤j≤2.0(9)；并且g除以Fe的原子量所得的值设为g’，v除以Co的原子量所得的值设为v’，z除以Al的原子量所得的值设为z’，w除以B的原子量所得的值设为w’，q除以Ti的原子量所得的值设为q’时，满足下述式(A)和(B)。0.06≤(g’+v’+z’)‑(14×(w’‑2×q’))(A)0.10≥(g’+v’+z’)‑(14×(w’‑q’))(B)。

公开(公告)号：CN107710351A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680036852.3

申请日：2016-06-17

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 佐藤铁兵 ,  国吉太 ,  石井伦太郎 ,  西内武司 ,  野泽宣介

IPC: H01F1/057 ,  B22F1/00 ,  B22F3/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02

Abstract: 一种R-T-B系烧结磁体，其特征在于，其含有R：27.5～34.0质量％、RH：2～10质量％、B：0.89～0.95质量％、Ti：0.1～0.2质量％、Ga：0.3～0.7质量％、Cu：0.07～0.50质量％、Al：0.05～0.50质量％、M(M为Nb和/或Zr)：0～0.3质量％、余量T和不可避免的杂质，满足下述式(1)、(2)和(3)。[T]-72.3([B]-0.45[Ti])＞0 (1)，([T]-72.3([B]-0.45[Ti]))/55.85＜13[Ga]/69.72(2)，[Ga]≥[Cu] (3)。