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公开(公告)号：CN115602435A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210709610.3
申请日：2022-06-22
Applicant: 日立金属株式会社(JP)
Abstract: 本发明的课题在于抑制当粉末粒度变小时容易产生的氮化、氧化所导致的磁石特性的劣化。其解决手段为如下的本发明的R－T－B系烧结磁石的制造方法，其为R－T－B系烧结磁体(R为稀土元素，必须包含选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，T为过渡金属的至少1种且必须包含Fe)的制造方法，包括：准备R－T－B系烧结磁体用合金的粗粉碎粉的工序；对粉碎室被不活泼气体充满的喷射磨装置供给粗粉碎粉，将粗粉碎粉进行粉碎，得到微粉末的工序；和制作上述微粉末的烧结体的工序。在粗粉碎粉中添加有熔点为20℃以上100℃以下的亚磷酸酯。
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公开(公告)号：CN108701517A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780013630.4
申请日：2017-03-10
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其中，所述R‑T‑B系烧结磁体含有R：28.5～33.0质量％(R为稀土元素中的至少1种，且包含Nd和Pr中的至少1种)、B：0.850～0.910质量％、Ga：0.2～0.7质量％、Cu：0.05～0.50质量％和Al：0.05～0.50质量％，余量为T(T为Fe和Co，T的90质量％以上为Fe)和不可避免的杂质，且满足：式(1)(14[B]/10.8＜[T]/55.85([B]是用质量％表示的B的含量，[T]是用质量％表示的T的含量))，所述R‑T‑B系烧结磁体的制造方法包括如下工序：准备粒径D50和粒径D99满足式(2)(3.8μm≤D50≤5.5μm)和式(3)(D99≤10μm)的合金粉末的工序；将上述合金粉末进行成形而得到成形体的成形工序；将上述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序；以及，对上述烧结体实施热处理的热处理工序。
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公开(公告)号：CN105474337A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046365.6
申请日：2014-09-01
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F41/0266 , B22F3/24 , B22F2003/248 , C21D6/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 一种磁体的制造方法，包括：磁体的准备工序，其准备如下磁体：用式uRwBxGayCuzAlqM余量T表示，RH为5％以下，0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足：50w-18.5≤v≤50w-14、-12.5w+38.75≤v≤-62.5w+86.125，在0.20≤x＜0.40时，v、w：50w-18.5≤v≤50w-15.5、-12.5w+39.125≤v≤-62.5w+86.125，x：-(62.5w+v-81.625)/15+0.5≤x≤-(62.5w+v-81.625)/15+0.8；高温热处理工序，其将磁体加热到730℃以上且1020℃以下后以20℃/分钟以上冷却到300℃；以及加热到440℃以上且550℃以下的低温热处理工序。
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公开(公告)号：CN102282279A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004756.3
申请日：2010-01-14
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F41/0266 , B22F1/0014 , C22C33/0278 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 本发明的R-T-B系烧结磁铁的制造方法包括以下工序：分别制备R-T-B系合金粉末A和R-T-B系合金粉末B的工序，使得上述R-T-B系合金粉末B的粒径D50比上述R-T-B系合金粉末A的粒径D50小1.0μm以上，且使得R-T-B系合金粉末A中的重稀土元素RH和上述R-T-B系合金粉末B中的重稀土元素RH的质量％的含量差ΔRH，为上述R-T-B系合金粉末B比上述R-T-B系合金粉末A高4质量％以上；混合上述R-T-B系合金粉末A和上述R-T-B系合金粉末B的工序；将上述混合之后的R-T-B系合金粉末成型为规定形状的成型体的工序；和烧结上述成型体的工序。
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公开(公告)号：CN108389674B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810104048.5
申请日：2018-02-01
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F1/057
Abstract: 本发明的课题是提供一种尽可能地不使用Dy等RH(即，尽可能地降低RH的使用量)、且具有高Br和高HcJ的R‑T‑B系烧结磁铁。一种R‑T‑B系烧结磁铁，以质量％计，包含：R：27.5％以上、34.0％以下(R为稀土类元素中的至少一种，必须包含Nd和Pr中的至少一个)、B：0.85％以上、0.93％以下、Ga：0.20％以上、0.75％以下、Sn：0.05％以上、0.60％以下、Cu：0.05％以上、0.70％以下、Al：0.05％以上、0.40％以下、和T：61.5％以上(T为Fe和Co，以质量比计，T的90％以上为Fe)，并且满足下述式(1)～(4)，0＜[T]‑72.3×[B] (1)；0.2≤[Cu]/([Ga]+[Cu])≤0.5 (2)；0.5≤[Ga]/[Sn] (3)；0.25≤[Ga]+[Sn]≤0.80 (4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109065313A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810876373.3
申请日：2015-03-23
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 石井伦太郎
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , B22F1/00 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F9/04 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/16
Abstract: 一种R－T－B系合金粉末的制造方法，包括：准备包含27.5质量％以上36.0质量％以下的R、0.85质量％以上1.05质量％以下的B、0.1质量％以上2.5质量％以下的元素M、剩余部分T的合金粉末的工序；和将上述合金粉末和粉碎气体导入粉碎槽，对上述合金粉末进行粉碎的工序，该粉碎的工序中，通过在上述粉碎槽内利用上述粉碎气体的流动使上述合金粉末回旋并磨碎来进行粉碎，上述粉碎的工序以满足导入上述粉碎槽的上述粉碎气体的表压为0.75MPa以上且滞留时间为6分钟以上的条件的方式进行。
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公开(公告)号：CN105453195B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201480043014.X
申请日：2014-08-11
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/24 , B22F9/04 , B22F2003/248 , B22F2301/355 , B22F2998/10 , C22C30/02 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02
Abstract: 提供抑制Dy的含量且具有高Br和高HcJ的R－T－B系烧结磁体及其制造方法。一种R－T－B系烧结磁体，其用式uRwBxGayCuzAlqMT表示，0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1，在将氧量(质量％)设为α、将氮量(质量％)设为β、将碳量(质量％)设为γ时，v＝u－(6α+10β+8γ)，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足：50w－18.5≤v≤50w－14、－12.5w+38.75≤v≤－62.5w+86.125，在0.20≤x＜0.40时，v、w满足：50w－18.5≤v≤50w－15.5、－12.5w+39.125≤v≤－62.5w+86.125，x为－(62.5w+v－81.625)/15+0.5≤x≤－(62.5w+v－81.625)/15+0.8。
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公开(公告)号：CN106716571B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201580049440.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括如下工序：1)烧结成形体，准备R－T－B系烧结磁体原材的工序，所述R－T－B系烧结磁体原材含有：27.5质量％以上且34.0质量％以下的R、0.85质量％以上且0.93质量％以下的B、0.20质量％以上且0.70质量％以下的Ga、多于0.2质量％且0.50质量％以下的Cu、0.05质量％以上且0.5质量％以下的Al、和0质量％以上且0.1质量％以下的M，余量是T和不可避免的杂质，并满足式(1)和(2)；2)高温热处理工序，其是将R－T－B系烧结磁体原材，加热至730℃以上且1020℃以下的温度后，以5℃/分钟以上冷却至300℃的工序；3)低温热处理工序，其是将高温热处理工序后的R－T－B系烧结磁体原材加热至440℃以上且550℃以下的温度的工序。[T]－72.3[B]＞0(1)，([T]－72.3[B])/55.85＜13[Ga]/69.72(2)，(还有，[T]是以质量％表示的T的含量，[B]是以质量％表示的B的含量，[Ga]是以质量％表示的Ga的含量)。
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公开(公告)号：CN105474337B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201480046365.6
申请日：2014-09-01
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F41/0266 , B22F3/24 , B22F2003/248 , C21D6/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 一种磁体的制造方法，包括：磁体的准备工序，其准备如下磁体：用式uRwBxGayCuzAlqM余量T表示，RH为5％以下，0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1，在0.40≤x≤0.70时，v、w满足：50w‑18.5≤v≤50w‑14、‑12.5w+38.75≤v≤‑62.5w+86.125，在0.20≤x＜0.40时，v、w：50w‑18.5≤v≤50w‑15.5、‑12.5w+39.125≤v≤‑62.5w+86.125，x：‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.5≤x≤‑(62.5w+v‑81.625)/15+0.8；高温热处理工序，其将磁体加热到730℃以上且1020℃以下后以20℃/分钟以上冷却到300℃；以及加热到440℃以上且550℃以下的低温热处理工序。
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公开(公告)号：CN105453194A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480043012.0
申请日：2014-08-11
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , C22C30/02 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C2202/02
Abstract: 提供一种抑制Dy的含量且具有高Br和高HcJ的R－T－B系烧结磁体。一种R－T－B系烧结磁体，其用式uRwBxGayCuzAlqM余量T(R包含RL和RH，RL为Nd和/或Pr，RH为Dy和/或Tb、T为Fe，可以用Co置换10质量％以下的Fe，M为Nb和/或Zr，且包含不可避免的杂质，u、w、x、y、z、q表示质量％)表示，RH为R－T－B系烧结磁体的5质量％以下，0.4≤x≤1.0，0.07≤y≤1.0，0.05≤z≤0.5，0≤q≤0.1，0.100≤y/(x+y)≤0.340，在将氧量(质量％)设为α、将氮量(质量％)设为β、将碳量(质量％)设为γ时，v＝u－(6α+10β+8γ)，v、w满足v≤32.0、0.84≤w≤0.93、－12.5w+38.75≤v≤－62.5w+86.125。
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