R-T-B系烧结磁体的制造方法

    公开(公告)号:CN110299236A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910212614.9

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 提供使R-M合金粉末存在于R-T-B系烧结磁体表面并扩散的方法中能够不降低磁特性地抑制金属聚集发生、还能使粉末不易燃烧而容易处理的制造方法。本发明R-T-B系烧结磁体制造方法包括:准备R-T-B系烧结磁体原材料的工序;准备R-M(R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr的至少一者,M为选自Al、Cu、Zn、Ga、Fe、Co、Ni的1种以上)合金粉末的工序;在R-M合金粉末颗粒表面形成平均厚度0.5μm以上3μm以下的R-OH层的工序;将形成R-OH层的R-M合金粉末涂布于R-T-B系烧结磁体原材料的工序;对涂布形成有R-OH层的R-M合金粉末后的R-T-B系烧结磁体原材料进行热处理的工序。

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