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公开(公告)号：CN110168129B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201780082140.X
申请日：2017-12-05
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种在成膜时，可抑制在铬合金靶材的表面上生成陷口，且可抑制小滴附着于被处理材的铬合金靶材。一种铬合金靶材，其中原子比中的组成式为Cr100‑x‑yM1xM2y，0.1≦x≦21.0，0.1≦y≦23.0，M1为选自钛及钒中的一种以上的元素，M2表示选自钼、锰、硼、钨、铌、钽中的一种以上的元素，剩余部包含不可避免的杂质，并且所述铬合金靶材中，含有10质量ppm～1000质量ppm的氧作为不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN113614279A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023503.4
申请日：2020-03-02
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 提供一种新颖的V合金靶，其在靶的机械加工中，可抑制靶表面中的凹凸的产生，可抑制成膜时的异常放电的产生，同时也可达成抑制液滴向被处理材的附着。一种V合金靶，包含V及Mo，且侵蚀面中的维氏硬度的平均值为250HV～350HV，在5点测定点进行测定而得的维氏硬度的偏差为20％以下，优选为维氏硬度处于270HV～340HV的范围，更优选为含有10原子％～50原子％的Mo且剩余部分包含V及不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN113614280A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023752.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 提供一种新颖的V合金靶，其在靶的机械加工中，可抑制靶表面中的凹凸的产生，可抑制成膜时的异常放电的产生，同时也可达成抑制液滴向被处理材的附着。一种V合金靶，包含V及W，且侵蚀面中的维氏硬度的平均值为340HV～750HV的范围，在5点测定点进行测定而得的维氏硬度的偏差为20％以下，优选为维氏硬度处于350HV～710HV的范围，更优选为含有10原子％～50原子％的W且剩余部分包含V及不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN110168129A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082140.X
申请日：2017-12-05
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种在成膜时，可抑制在铬合金靶材的表面上生成陷口，且可抑制小滴附着于被处理材的铬合金靶材。一种铬合金靶材，其中原子比中的组成式为Cr100-x-yM1xM2y，0.1≦x≦21.0，0.1≦y≦23.0，M1为选自钛及钒中的一种以上的元素，M2表示选自钼、锰、硼、钨、铌、钽中的一种以上的元素，剩余部包含不可避免的杂质，并且所述铬合金靶材中，含有10质量ppm～1000质量ppm的氧作为不可避免的杂质。
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