具有磁阻元件的方位计
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1369689A

    公开(公告)日:2002-09-18

    申请号:CN02103394.3

    申请日:2002-02-04

    CPC classification number: G01R33/09 G01R33/0206

    Abstract: 所公开的方位计具有用于施加偏置磁场的薄膜平面线圈以及与此线圈的相对导体边交叉设置的至少一对磁阻元件对(设为第一与第二磁阻薄板)。此平面线圈具有至少一对相对导体边(设为第一与第二边)。此第一磁阻薄板与此第一边交叉成大于30°而小于90°的角。此第二磁阻薄板与此第二边交叉成大于30°而小于90°的角。在对磁阻薄板分别施加正反方向的偏置磁场的同时,测定磁阻元件对的中间电位,根据此两中间电位的差而检测出方位。

    磁导率传感器和磁导率检测方法

    公开(公告)号:CN104569137B

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201410542469.8

    申请日:2014-10-14

    Abstract: 本发明提供一种结构小型且简单却能够高精度检测被检测物的磁导率变化的磁导率传感器、以及使用磁导率传感器的磁导率检测方法。磁导率传感器包括:第一线圈1和第二线圈2;包含第一线圈1并发生振荡的第一振荡电路6;包含第二线圈2并发生振荡的第二振荡电路7;分别测量第一振荡电路6和第二振荡电路7中的振荡频率的测量部41;计算测量部41所测量的振荡频率的差的计算部42;以及将计算部42计算出的差变换为磁导率的变换部43。

    具有磁阻元件的方位计
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100343627C

    公开(公告)日:2007-10-17

    申请号:CN02103394.3

    申请日:2002-02-04

    CPC classification number: G01R33/09 G01R33/0206

    Abstract: 所公开的方位计具有用于施加偏置磁场的薄膜平面线圈以及与此线圈的相对导体边交叉设置的至少一对磁阻元件对(设为第一与第二磁阻薄板)。此平面线圈具有至少一对相对导体边(设为第一与第二边)。此第一磁阻薄板与此第一边交叉成大于30°而小于90°的角。此第二磁阻薄板与此第二边交叉成大于30°而小于90°的角。在对磁阻薄板分别施加正反方向的偏置磁场的同时,测定磁阻元件对的中间电位,根据此两中间电位的差而检测出方位。

    磁导率传感器和磁导率检测方法

    公开(公告)号:CN104569137A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410542469.8

    申请日:2014-10-14

    Abstract: 本发明提供一种结构小型且简单却能够高精度检测被检测物的磁导率变化的磁导率传感器、以及使用磁导率传感器的磁导率检测方法。磁导率传感器包括:第一线圈1和第二线圈2;包含第一线圈1并发生振荡的第一振荡电路6;包含第二线圈2并发生振荡的第二振荡电路7;分别测量第一振荡电路6和第二振荡电路7中的振荡频率的测量部41;计算测量部41所测量的振荡频率的差的计算部42;以及将计算部42计算出的差变换为磁导率的变换部43。

    方位计
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1531642A

    公开(公告)日:2004-09-22

    申请号:CN02809035.7

    申请日:2002-05-21

    CPC classification number: G01R33/093 B82Y25/00 G01C17/30

    Abstract: 为提供薄且面积小的方位计。本发明排列了一个平面线圈和至少两组薄膜磁阻元件。这几组薄膜磁阻元件中的每一组构成MR桥,探测和输出地磁场的两个垂直分量,根据输出值得到方位信息。

    方位计
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100367001C

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN02809035.7

    申请日:2002-05-21

    CPC classification number: G01R33/093 B82Y25/00 G01C17/30

    Abstract: 为提供薄且面积小的方位计。本发明排列了一个平面线圈和至少两组薄膜磁阻元件。这几组薄膜磁阻元件中的每一组构成MR桥,探测和输出地磁场的两个垂直分量,根据输出值得到方位信息。

    磁导率传感器
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN204228660U

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201420593694.X

    申请日:2014-10-14

    Abstract: 本实用新型提供一种结构小型且简单却能够高精度检测被检测物的磁导率变化的磁导率传感器。磁导率传感器包括:第一线圈1和第二线圈2;包含第一线圈1并发生振荡的第一振荡电路6;包含第二线圈2并发生振荡的第二振荡电路7;分别测量第一振荡电路6和第二振荡电路7中的振荡频率的测量部41;计算测量部41所测量的振荡频率的差的计算部42;以及将计算部42计算出的差变换为磁导率的变换部43。

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