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公开(公告)号：CN114830305A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080086891.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L21/52 , B23K26/364
Abstract: 暂时停留在第一区域(301)中的焊料(106)处于高曲率状态，因此在焊料(106)的顶点处与半导体元件(105)点接触。然后，一边将半导体元件(105)压向焊料(106)，一边使焊料(106)从第一区域(301)向第二区域(302)从中央部向周边部慢慢润湿扩展。此时，在排斥空气的同时，焊料(106)润湿扩展，因此能够抑制空隙的产生。
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