公开(公告)号：CN111801781A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201980016195.X

申请日：2019-01-17

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 谷口彻弥 ,  佐藤慎 ,  茶花幸一 ,  上野恵子

IPC: H01L21/60 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J163/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的半导体用粘接剂为在半导体装置中用于连接部的至少一部分的密封的半导体用粘接剂，所述半导体装置是将半导体芯片及布线电路基板的各自的连接部的电极彼此相互电连接而成的半导体装置、或者是将多个半导体芯片的各自的连接部的电极彼此相互电连接而成的半导体装置，半导体用粘接剂的触变值为1.0以上且3.1以下，触变值是下述的值：对于将半导体用粘接剂层叠至厚度400μm的样品，利用剪切粘度测定装置在温度为120℃的恒定条件下测定使频率从1Hz连续变化至70Hz时的粘度，将7Hz时的粘度值除以70Hz时的粘度值所获得的值即为上述触变值。

公开(公告)号：CN109075088A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780028064.4

申请日：2017-04-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  茶花幸一 ,  佐藤慎 ,  永井朗

IPC: H01L21/60 ,  C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置为具备具有连接部的半导体芯片和具有连接部的配线电路基板、且各自的连接部相互电连接的半导体装置，或为具备具有连接部的多个半导体芯片且各自的连接部相互电连接的半导体装置。连接部由金属构成。上述方法具备：(a)第一工序，将半导体芯片和配线电路基板、或将半导体芯片彼此以中间隔着半导体用粘接剂的状态，在低于连接部的金属的熔点的温度下，按照各自的连接部相互接触的方式压接，获得临时连接体；(b)第二工序，使用密封用树脂将临时连接体的至少一部分密封，获得密封临时连接体；以及(c)第三工序，将密封临时连接体以大于或等于连接部的金属的熔点的温度加热，获得密封连接体。

公开(公告)号：CN108352333A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062779.7

申请日：2016-10-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  茶花幸一 ,  小野敬司 ,  永井朗

IPC: H01L21/60 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: C09J11/06 ,  C09J201/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/81

Abstract: 公开了一种制造半导体装置的方法，半导体装置具备：半导体芯片；基板及/或另外的半导体芯片；以及介于它们之间的粘接剂层。该方法包括下述工序：通过将具有半导体芯片、基板、另外的半导体芯片或半导体晶片、以及粘接剂层的层叠体用暂时压接用按压构件夹持来进行加热以及加压，由此将基板、另外的半导体芯片或半导体晶片暂时压接在半导体芯片上；通过将层叠体用不同于暂时压接用按压构件的另外准备的正式压接用按压构件夹持来进行加热以及加压，由此将半导体芯片的连接部与基板或另外的半导体芯片的连接部进行连接。