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公开(公告)号：CN114093792B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202111371780.7
申请日：2018-07-02
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用加热器，其是在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体的半导体制造装置用加热器，在所述AlN陶瓷基体中埋设有RF电极，所述AlN陶瓷基体在含有O、C、Ti、Ca、Y的同时，含有铝酸钇相作为结晶相，且Ti/Ca的质量比为0.13以上，所述AlN陶瓷基体的Ti含有率为18质量ppm以上95质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN116264180A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211403176.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，在不同高度的第一导电层及第二导电层经由导通部而导通的晶片载放台的基础上，使晶片的均热性变得良好。晶片载放台(10)构成为：在具有晶片载放面(12a)的陶瓷基体(12)的内部，副RF电极(21)(第一导电层)和跳线层(22)(第二导电层)植入于不同的高度，且具备将副RF电极(21)和跳线层(22)电导通的导通部(30)。导通部(30)为横向放置的线圈或带孔筒状体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119019176A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411133300.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供一种良好地接合且没有裂纹的AlN接合体。AlN接合体(10)是将第一AlN部件(11)和第二AlN部件(12)进行接合得到的。第一AlN部件(11)的三氧化二钇含有率为检测极限以下。第二AlN部件(12)含有三氧化二钇。
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公开(公告)号：CN115606318A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180010171.0
申请日：2021-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社(JP)
Abstract: 本发明的AlN陶瓷基体是包含铝酸钇的AlN陶瓷基体，其在550℃时的体积电阻率为3×109Ωcm以上。
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公开(公告)号：CN115710128A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210678549.0
申请日：2022-06-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供一种良好地接合且没有裂纹的AlN接合体。AlN接合体(10)是将第一AlN部件(11)和第二AlN部件(12)进行接合得到的。第一AlN部件(11)的三氧化二钇含有率为检测极限以下。第二AlN部件(12)含有三氧化二钇。
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公开(公告)号：CN114093792A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111371780.7
申请日：2018-07-02
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用加热器，其是在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体的半导体制造装置用加热器，在所述AlN陶瓷基体中埋设有RF电极，所述AlN陶瓷基体在含有O、C、Ti、Ca、Y的同时，含有铝酸钇相作为结晶相，且Ti/Ca的质量比为0.13以上，所述AlN陶瓷基体的Ti含有率为18质量ppm以上95质量ppm以下。
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