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发明公开
AlN陶瓷基体及半导体制造装置用加热器审中-实审

公开(公告)号：CN115606318A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180010171.0

申请日：2021-11-01

Applicant: 日本碍子株式会社(JP)

Inventor： 山名启太 , 曻和宏

IPC: H05B3/10 , H05B3/74

Abstract: 本发明的AlN陶瓷基体是包含铝酸钇的AlN陶瓷基体，其在550℃时的体积电阻率为3×109Ωcm以上。

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