波导元件
    1.
    发明公开
    波导元件 审中-实审

    公开(公告)号:CN117044032A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202280015795.6

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 本发明提供一种电信号的延迟小、在较宽频率范围内传播损耗小、且能够简便便宜地制造的波导元件。本发明的实施方式所涉及的波导元件具备:电介质部,其是在陶瓷材料的基板周期性地形成空穴而成的;低介电常数部,其具有比电介质部的介电常数小的介电常数;以及支撑基板,其设置于电介质部的下部,对电介质部进行支撑。该波导元件对频率为30GHz以上且20THz以下的电磁波进行引导,传播损耗的绝对值达到1dB/cm以下的电磁波的频率范围为50GHz以上。

    光栅元件以及外部谐振器型发光装置

    公开(公告)号:CN105765803B

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201480063856.1

    申请日:2014-11-18

    Abstract: 不使用珀耳帖元件就能够抑制跳模,提高波长稳定性,并抑制光强度变动。光栅元件1包含:支撑基板10,光学材料层11,其设置在支撑基板上、厚度为0.5μm~3.0μm,脊型光波导,其是在上述光学材料层上由一对脊型沟槽形成的,具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面,布拉格光栅12,其由形成在光波导内的凹凸所构成;及传播部13,其设置在入射面和布拉格光栅之间。该光栅元件1满足式(1)~式(4)的关系:0.8nm≤ΔλG≤6.0nm···(1):10μm≤Lb≤300μm···(2):20nm≤td≤250nm···(3):nb≥1.8···(4)。

    光栅元件及外部谐振器型发光装置

    公开(公告)号:CN106233175A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201580020713.7

    申请日:2015-04-13

    Abstract: 光栅元件2A包括:支撑基板、光学材料层1、具有射入激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射端的脊型光波导3A、以及由形成在光波导内的凹凸构成的布拉格光栅20。光波导包含:设置在入射面1a与布拉格光栅20之间的入射部3a和设置在入射部与布拉格光栅之间的锥形部3b。传播光在布拉格光栅中进行单模传播。入射部处的光波导的宽度Win大于布拉格光栅处的光波导Wgr的宽度,锥形部处的光波导的宽度Wt自入射部朝向布拉格光栅减小。满足式(1)~式(3)的关系。0.8nm≤△λG≤6.0nm···(1),10μm≤Lb≤300μm···(2),20nm≤td≤250nm···格反射率的峰值的半高宽。在式(2)中,Lb是所述布拉格光栅的长度。在式(3)中,td是构成所述布拉格光栅的凹凸的深度)。(3)(在式(1)中,△λG是所述布拉格光栅的布拉

    波导元件及波导元件的制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117693863A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202280050793.0

    申请日:2022-08-04

    Abstract: 本发明提供即便对频率为30GHz以上的高频率的电磁波进行引导的情况下也能够充分降低传播损耗的波导元件。本发明的实施方式的波导元件具备:无机材料基板;导体层,其包括信号电极及第一接地电极;支撑基板,其相对于无机材料基板而位于导体层的相反侧;第二接地电极,其位于无机材料基板与支撑基板之间;以及第三接地电极,其相对于支撑基板而位于第二接地电极的相反侧。第一接地电极、第二接地电极以及第三接地电极电连接。无机材料基板的厚度t满足下式(1)。#imgabs0#

    外部谐振器型发光装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106233175B

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201580020713.7

    申请日:2015-04-13

    Abstract: 光栅元件2A包括:支撑基板、光学材料层1、具有射入激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射端的脊型光波导3A、以及由形成在光波导内的凹凸构成的布拉格光栅20。光波导包含:设置在入射面1a与布拉格光栅20之间的入射部3a和设置在入射部与布拉格光栅之间的锥形部3b。传播光在布拉格光栅中进行单模传播。入射部处的光波导的宽度Win大于布拉格光栅处的光波导Wgr的宽度,锥形部处的光波导的宽度Wt自入射部朝向布拉格光栅减小。满足式(1)~式(3)的关系。0.8nm≤△λG≤6.0nm···(1),10μm≤Lb≤300μm···(2),20nm≤td≤250nm···(3)(在式(1)中,△λG是所述布拉格光栅的布拉格反射率的峰值的半高宽。在式(2)中,Lb是所述布拉格光栅的长度。在式(3)中,td是构成所述布拉格光栅的凹凸的深度)。

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