公开(公告)号：CN102779777A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210240591.0

申请日：2009-01-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  中村太一 ,  藤井知之

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67005 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/2462

Abstract: 提供一种高可靠性的接合构造及具有该接合构造的半导体制造装置，该接合构造具有埋设在陶瓷构件中的金属端子和与外部连接、或从外部供给电力的金属连接构件。实施方式中的半导体用基座（1），由氮化铝构成，具有带孔的陶瓷构件（4）、由钼构成的埋设在陶瓷构件（4）中的端子（3）、插入到孔中的与端子（3）连接的由钼构成的连接构件（5）、连接端子（3）和连接构件（5）的焊料接合层（6），焊料接合层（6）只由金（Au）构成。

公开(公告)号：CN102779777B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210240591.0

申请日：2009-01-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  中村太一 ,  藤井知之

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67005 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/2462

Abstract: 提供一种高可靠性的接合构造及具有该接合构造的半导体制造装置，该接合构造具有埋设在陶瓷构件中的金属端子和与外部连接、或从外部供给电力的金属连接构件。实施方式中的半导体用基座（1），由氮化铝构成，具有带孔的陶瓷构件（4）、由钼构成的埋设在陶瓷构件（4）中的端子（3）、插入到孔中的与端子（3）连接的由钼构成的连接构件（5）、连接端子（3）和连接构件（5）的焊料接合层（6），焊料接合层（6）只由金（Au）构成。

公开(公告)号：CN101483146B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200910002216.0

申请日：2009-01-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  中村太一 ,  藤井知之

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C14/50 ,  H01J37/32 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67005 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/2462

Abstract: 提供一种高可靠性的接合构造及具有该接合构造的半导体制造装置，该接合构造具有埋设在陶瓷构件中的金属端子和与外部连接、或从外部供给电力的金属连接构件。实施方式中的半导体用基座1，由氮化铝构成，具有带孔的陶瓷构件4、由钼构成的埋设在陶瓷构件4中的端子3、插入到孔中的与端子3连接的由钼构成的连接构件5、连接端子3和连接构件5的焊料接合层6，焊料接合层6只由金(Au)构成。

公开(公告)号：CN101483146A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910002216.0

申请日：2009-01-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  中村太一 ,  藤井知之

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C14/50 ,  H01J37/32 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67005 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/2462

Abstract: 提供一种高可靠性的接合构造及具有该接合构造的半导体制造装置，该接合构造具有埋设在陶瓷构件中的金属端子和与外部连接、或从外部供给电力的金属连接构件。实施方式中的半导体用基座1，由氮化铝构成，具有带孔的陶瓷构件4、由钼构成的埋设在陶瓷构件4中的端子3、插入到孔中的与端子3连接的由钼构成的连接构件5、连接端子3和连接构件5的焊料接合层6，焊料接合层6只由金(Au)构成。