公开(公告)号：CN101286619A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810005359.2

申请日：2008-02-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 金子太郎 ,  仁道正明 ,  富田功

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/14 ,  H01S5/024 ,  H01S3/00 ,  H01S3/083 ,  H01S3/04 ,  G02B6/00 ,  G02B7/00 ,  H01L27/15 ,  H01L25/00 ,  H04B10/02

CPC classification number: H01S5/02415 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/4201 ,  G02B6/4215 ,  G02B6/4267 ,  G02B6/4268 ,  G02B6/4271 ,  H01S3/083 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/142

Abstract: 防止由热变形或机械变形导致的温度控制元件和封装的变形作为应力传递到光学元件，并且同时，实现光学元件的恒温控制。布置包括需要温度控制的光学元件和不需要温度控制的光学部件的光学元件单元，以及布置用于执行光学元件的温度调节的温度控制元件。温度控制元件通过安装有光学元件单元的光学部件的区域来执行对于光学元件的温度调节控制。

公开(公告)号：CN101299082A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810005617.7

申请日：2008-02-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 富田功 ,  仁道正明 ,  金子太郎

IPC: G02B6/28

CPC classification number: G02B6/12007 ,  G02B6/30

Abstract: 本发明提供一种光学模块，包括：包括需应力控制的光学元件的光学元件单元和支撑该光学元件单元的载体。由于载体由性质与该光学元件的衬底材料性质相同的材料制成，故减轻了热收缩应力。尽可能减少由于光学元件单元和载体的线性膨胀系数之间的差异所引起的热收缩应力和残余收缩应力。

公开(公告)号：CN1405937A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02141658.3

申请日：2002-09-09

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 仁道正明 ,  仓本大 ,  山口敦史

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213

Abstract: 本发明提供可以发射接近圆形的基本横模的激光且工作电流及元件电阻低的氮化镓半导体激光器结构。在GaN构成的基底层的上部，按下部包覆层2、有源层4、上部包覆层7及电极的顺序层积，在有源层与下部包覆层之间和/或前述有源层与上部包覆层之间设置一个或两个以上的光导层1，以380nm以上420nm以下的波长振荡的氮化镓半导体激光器，在设光导层的总层厚为h(μm)，下部包覆层2的层厚为d1(μm)，具有与下部包覆层2的平均折射率相同折射率的AlGaN体结晶的Al组成为x，具有与上部包覆层7的平均折射率相同折射率的AlGaN体结晶的Al组成为y时，满足如下条件：0.15≤h、|x－y|≤0.02、0.02≤x≤0.06及0.34x－0.49≤d1+2h。

公开(公告)号：CN101286619B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810005359.2

申请日：2008-02-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 金子太郎 ,  仁道正明 ,  富田功

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/14 ,  H01S5/024 ,  H01S3/00 ,  H01S3/083 ,  H01S3/04 ,  G02B6/00 ,  G02B7/00 ,  H01L27/15 ,  H01L25/00 ,  H04B10/02

CPC classification number: H01S5/02415 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/4201 ,  G02B6/4215 ,  G02B6/4267 ,  G02B6/4268 ,  G02B6/4271 ,  H01S3/083 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/142

Abstract: 防止由热变形或机械变形导致的温度控制元件和封装的变形作为应力传递到光学元件，并且同时，实现光学元件的恒温控制。布置包括需要温度控制的光学元件和不需要温度控制的光学部件的光学元件单元，以及布置用于执行光学元件的温度调节的温度控制元件。温度控制元件通过安装有光学元件单元的光学部件的区域来执行对于光学元件的温度调节控制。

公开(公告)号：CN101299082B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200810005617.7

申请日：2008-02-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 富田功 ,  仁道正明 ,  金子太郎

IPC: G02B6/28

CPC classification number: G02B6/12007 ,  G02B6/30

Abstract: 本发明提供一种光学模块，包括：包括需应力控制的光学元件的光学元件单元和支撑该光学元件单元的载体。由于载体由性质与该光学元件的衬底材料性质相同的材料制成，故减轻了热收缩应力。尽可能减少由于光学元件单元和载体的线性膨胀系数之间的差异所引起的热收缩应力和残余收缩应力。

公开(公告)号：CN1340891A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01123674.4

申请日：2001-09-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山口敦史 ,  仓本大 ,  仁道正明

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的课题是降低使用氮化镓系材料的半导体激光器的阈值电流密度。根据本发明,在低位错密度的n型GaN衬底21上,形成包含n型覆盖层33、和具有InxAlyGa1－x－yN(0