公开(公告)号：CN1507654A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN02809631.2

申请日：2002-08-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 渡部平司 ,  小野春彦 ,  五十岚信行

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02142 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

Abstract: 一种含基底和直接或间接形成于基底上的绝缘膜的半导体设备。绝缘膜含金属硅酸盐膜，且在金属硅酸盐膜的膜厚度方向上，中部的硅浓度高于上部和下部的硅浓度。

公开(公告)号：CN100452357C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200580001124.0

申请日：2005-06-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 高桥健介 ,  间部谦三 ,  五十岚信行 ,  辰巳彻

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4975 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供改善高介电常数栅绝缘膜与金属栅极的组合技术中CMOS晶体管的阈值控制的问题，不降低元件的可靠性而可大幅度提高特性的半导体装置。该半导体装置其特征在于，具有使用高介电常数材料的栅绝缘膜，和在与前述栅绝缘膜相接一侧以组成用MxSi1-x(0＜x＜1)表示的金属M的硅化物为主要成分的栅极，P型MOSFET时前述金属M的硅化物是x＞0.5，N型MOSFET时前述金属M的硅化物是x≤0.5。

公开(公告)号：CN1879209A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200580001124.0

申请日：2005-06-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 高桥健介 ,  间部谦三 ,  五十岚信行 ,  辰巳彻

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4975 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供改善高介电常数栅绝缘膜与金属栅极的组合技术中CMOS晶体管的阈值控制的问题，不降低元件的可靠性而可大幅度提高特性的半导体装置。该半导体装置其特征在于，具有使用高介电常数材料的栅绝缘膜，和在与前述栅绝缘膜相接一侧以组成用MxSi1－x(0＜x＜1)表示的金属M的硅化物为主要成分的栅极，P型MOSFET时前述金属M的硅化物是x＞0.5，N型MOSFET时前述金属M的硅化物是x≤0.5。

公开(公告)号：CN1261986C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN02809631.2

申请日：2002-08-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 渡部平司 ,  小野春彦 ,  五十岚信行

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02142 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

Abstract: 一种含基底和直接或间接形成于基底上的介电膜的半导体设备。介电膜含金属硅酸盐膜，且在金属硅酸盐膜的膜厚度方向上，中部的硅浓度低于上部和下部的硅浓度。