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公开(公告)号：CN112119507B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980032956.0
申请日：2019-04-24
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能防止由静电放电引起的破坏，预计提高100V以上的耐压的光检测器。本发明的光检测器的特征在于，在锗光电二极管(GePD)连接有由锗和硅构成的齐纳二极管。该光检测器共用光电二极管和齐纳二极管所具备的硅基板、下部包覆层、硅芯层、上部包覆层。
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公开(公告)号：CN119452758A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202280097486.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明的光检测器具备光电二极管(300)和保护二极管(301)，其特征在于，所述光电二极管(300)和所述保护二极管(301)集成在同一半导体基板上，所述光电二极管(300)具备：半导体部，由至少一种以上的半导体材料构成；阳极电极；以及阴极电极，所述保护二极管(301)具备：芯层；半导体部，包括所述芯层所具备的掺杂了第一型杂质离子的第一型半导体区域和掺杂了第二型杂质离子的第二型半导体区域；阳极电极；以及阴极电极，所述保护二极管(301)的半导体部仅由所述光电二极管(300)的半导体部中使用的半导体材料中的一种构成，所述保护二极管(301)的阳极电极与所述光电二极管(300)的阳极电极连接，所述保护二极管(301)的阴极电极与所述光电二极管(300)的阴极电极连接。
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公开(公告)号：CN107924075B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201680045508.0
申请日：2016-08-03
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 提供一种抑制因由掩模板偏离等引起的pn结位置的偏离而产生的相位调制时的啁啾且波形品质良好的光调制器。光调制器具备：用于施加一对差动信号电压的两根RF电极；提供固定电位的至少一根固定电位用电极；与所述RF电极或固定电位用电极相接的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；以及光调制部，形成有以从一根光波导分支出来并沿着作为所述第一和第二导电型半导体层的边界的pn结部的方式配置的两根光波导，其特征在于，所述半导体层和电极配置为：由所述两根光波导中的所述pn结部的位置与设计值的偏离导致的相位变化的积分量，在两根光波导之间相等。
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公开(公告)号：CN112119507A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980032956.0
申请日：2019-04-24
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10 , G02B6/12 , H01L21/329 , H01L29/866
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能防止由静电放电引起的破坏，预计提高100V以上的耐压的光检测器。本发明的光检测器的特征在于，在锗光电二极管(GePD)连接有由锗和硅构成的齐纳二极管。该光检测器共用光电二极管和齐纳二极管所具备的硅基板、下部包覆层、硅芯层、上部包覆层。
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公开(公告)号：CN107924075A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680045508.0
申请日：2016-08-03
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 提供一种抑制因由掩模板偏离等引起的pn结位置的偏离而产生的相位调制时的啁啾且波形品质良好的光调制器。光调制器具备：用于施加一对差动信号电压的两根RF电极；提供固定电位的至少一根固定电位用电极；与所述RF电极或固定电位用电极相接的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；以及光调制部，形成有以从一根光波导分支出来并沿着作为所述第一和第二导电型半导体层的边界的pn结部的方式配置的两根光波导，其特征在于，所述半导体层和电极配置为：由所述两根光波导中的所述pn结部的位置与设计值的偏离导致的相位变化的积分量，在两根光波导之间相等。
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