公开(公告)号：CN105378146A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480038926.8

申请日：2014-06-26

Applicant: 日本发条株式会社

Inventor： 山内雄一郎 ,  赤林优 ,  宫地真也

IPC: C23C24/04 ,  H01B5/02 ,  H01B13/00 ,  H01M2/20 ,  H01M2/30

CPC classification number: H01M2/30 ,  C23C24/04 ,  C23C24/087 ,  H01M2/206

Abstract: 提供电阻和密合性优异的导电构件和导电构件的制造方法。本发明的导电构件1的特征在于，具备包含维氏硬度为100以上的铜或铜合金的导电构件主体部2、和在导电构件主体部2的端面形成的包含铝或铝合金的皮膜层3，皮膜层3是将铝或铝合金的粉末材料与被加热至低于该粉末材料熔点的温度的气体一起加速，保持着固相状态向导电构件主体部2的端面喷射从而堆积成的。

公开(公告)号：CN102985390B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201180033843.6

申请日：2011-07-13

Applicant: 日本发条株式会社

Inventor： 中村圣 ,  铃木恒平 ,  宫地真也 ,  斋藤慎二

IPC: G01R1/067 ,  C04B35/583 ,  C04B35/20 ,  G01R1/073

CPC classification number: C04B35/583 ,  C04B35/20 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  G01R1/06722 ,  G01R3/00 ,  Y10T428/24273

Abstract: 本发明涉及一种作为包含顽辉石和氮化硼作为构成充分且氮化硼单向地取向的烧结体的陶瓷构件、使用陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。陶瓷构件的取向度指数为0.8以上。由此，能够提供一种具有易切削性、接近硅的热膨胀系数及高强度的陶瓷构件、使用该陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。

公开(公告)号：CN102985390A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180033843.6

申请日：2011-07-13

Applicant: 日本发条株式会社

Inventor： 中村圣 ,  铃木恒平 ,  宫地真也 ,  斋藤慎二

IPC: C04B35/583 ,  C04B35/20 ,  G01R1/067 ,  G01R1/073

CPC classification number: C04B35/583 ,  C04B35/20 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  G01R1/06722 ,  G01R3/00 ,  Y10T428/24273

Abstract: 本发明涉及一种作为包含顽辉石和氮化硼作为构成充分且氮化硼单向地取向的烧结体的陶瓷构件、使用陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。陶瓷构件的取向度指数为0.8以上。由此，能够提供一种具有易切削性、接近硅的热膨胀系数及高强度的陶瓷构件、使用该陶瓷构件而形成的探针支架及陶瓷构件的制造方法。

公开(公告)号：CN105358736A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480038924.9

申请日：2014-06-26

Applicant: 日本发条株式会社

Inventor： 山内雄一郎 ,  赤林优 ,  宫地真也

IPC: C23C24/04 ,  B32B15/01 ,  H01B5/02 ,  H01B13/00 ,  H01M2/20 ,  H01M2/30

CPC classification number: H01M2/30 ,  B32B15/013 ,  B32B15/015 ,  B32B15/017 ,  C23C4/12 ,  C23C24/04 ,  C23C28/021 ,  C23C28/025 ,  H01M2/202

Abstract: 提供在制造使用冷喷涂法在基材上形成的包含铝的金属覆膜的层叠体的情况下，基材与金属覆膜之间的密合强度高的层叠体和层叠体的制造方法。本发明的层叠体1具备：由金属或合金构成的基材2；在基材2表面形成的由镍或含镍合金构成的中间层3；和将铝或铝合金的粉末材料与被加热至低于该粉末材料的熔点的温度的气体一起加速，保持着固相状态向中间层3喷附而使其在中间层3的表面堆积的金属覆膜4。

公开(公告)号：CN101946183B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN200980105563.4

申请日：2009-02-26

Applicant: 日本发条株式会社

Inventor： 风间俊男 ,  中山浩志 ,  宫地真也 ,  铃木恒平

IPC: G01R1/073 ,  H01L21/66 ,  H05K3/46

CPC classification number: G01R1/07378 ,  G01R31/2889 ,  H05K3/4605 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/068

Abstract: 本发明提供一种能够进行微细间距的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板及具备该配线基板的探针卡。为了此种目的，具备：配线基板，其具有热膨胀系数为3.0×10-6～5.0×10-6/℃的陶瓷基板和层叠在陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线片；探针头，其使导电性的多个探针对应于薄膜配线片的配线配置，并且在使各探针的两端露出的状态下以防脱落的方式分别对各探针进行保持，在使各探针的一端与薄膜配线片接触的状态下层叠在所述配线基板上。

公开(公告)号：CN101946183A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105563.4

申请日：2009-02-26

Applicant: 日本发条株式会社

Inventor： 风间俊男 ,  中山浩志 ,  宫地真也 ,  铃木恒平

IPC: G01R1/073 ,  H01L21/66 ,  H05K3/46

CPC classification number: G01R1/07378 ,  G01R31/2889 ,  H05K3/4605 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/068

Abstract: 本发明提供一种能够进行微细间距的配线且具有接近硅的热膨胀系数的热膨胀系数的配线基板及具备该配线基板的探针卡。为了此种目的，具备：配线基板，其具有热膨胀系数为3.0×10-6～5.0×10-6/℃的陶瓷基板和层叠在陶瓷基板的一个表面上的一或多个薄膜配线板；探针头，其使导电性的多个探针对应于薄膜配线板的配线配置，并且在使各探针的两端露出的状态下以防脱落的方式分别对各探针进行保持，在使各探针的一端与薄膜配线板接触的状态下层叠在所述配线基板上。