-
公开(公告)号：CN1269692A
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN00104533.4
申请日：2000-02-02
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/32678
Abstract: 防止在发射的等离子体中包含高能量的电子。等离子体源2a配有电磁铁40(磁场发生装置),该电磁铁在等离子体室容器内,在与等离子体发射孔8的等离子体发射方向22交叉的方向上产生引起电子回旋共振的磁场B。
-
公开(公告)号：CN1356860A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01142968.2
申请日：2001-11-30
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/0041
Abstract: 离子束辐射装置被装备有等离子体产生装置30,该等离子束产生装置通过射频放电产生等离子体12并将所产生的等离子体供给到基片4附近。该等离子体产生装置30包括沿着轴33延伸的等离子体产生室32,该轴33沿着离子束被移动的扫描方向X延伸;被装备在其上一侧的等离子发射孔34;以及被装备在等离子体产生室32外面的磁体36,用于产生具有沿着轴33方向的磁场。由磁体36产生的磁场包含一个具有沿着轴33方向且将包含在等离子体12中的离子弯转向基片的磁场,等离子体由等离子发射孔34发射出。
-
公开(公告)号：CN1276625A
公开(公告)日：2000-12-13
申请号：CN00118812.7
申请日：2000-04-26
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 酒井滋树
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/026 , H01J2237/31701
Abstract: 提供可以模拟地并且按高精度测定基片充电的充电测定装置。该充电测定装置20包括排列在与离子束12交叉的面上并接受离子束12的多个测定导体22、与各测定导体22分别连接的多个双向稳压元件28、和分别测定流过各双向稳压元件28电流I的极性和大小的多个电流测定器30。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1172351C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN01138501.4
申请日：2001-11-14
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , C30B31/22 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/026 , H01J2237/004 , H01J2237/31701 , H01L21/2236
Abstract: 当离子束14辐照在衬底2以进行诸如离子注入的处理时，从等离子体生成装置20发出的等离子体30被供应给接近衬底2的部分以便对由于离子辐照引起的衬底表面的充电进行抑制。保持IE/IB之比不低于1.8，保持II/IE之比不低于0.07并且不高于0.7，其中IB是辐照在衬底2上的离子束14的电流，II表示从等离子体生成装置发出的等离子体30中离子数量的离子电流，以及IE表示等离子体30中电子数量的电子电流。
-
公开(公告)号：CN1353445A
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN01138501.4
申请日：2001-11-14
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , C30B31/22 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/026 , H01J2237/004 , H01J2237/31701 , H01L21/2236
Abstract: 当离子束14辐照在衬底2以进行诸如离子注入的处理时,从等离子体生成装置20发出的等离子体30被供应给接近衬底2的部分以便对由于离子辐照引起的衬底表面的充电进行抑制。保持IE/IB之比不低于1.8,保持II/IE之比不低于0.07并且不高于0.7,其中IB是受离子束14辐照的衬底2的电流,II表示从等离子体生成装置发出的等离子体30中离子数量的离子电流,以及IE表示等离子体30中电子数量的电子电流。
-
公开(公告)号：CN1143376C
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN00118812.7
申请日：2000-04-26
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 酒井滋树
IPC: H01L21/66 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/026 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明提供可以模拟地并且按高精度测定基片充电的充电测定装置。该充电测定装置(20)包括排列在与离子束(12)交叉的面上并接受离子束(12)的多个测定导体(22)；与各测定导体(22)分别连接的多个双向稳压元件(28)；和分别测定流过各双向稳压元件(28)电流I的极性和大小的多个电流测定器(30)。
-
公开(公告)号：CN1191741C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN00104533.4
申请日：2000-02-02
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/32678
Abstract: 防止在发射的等离子体中包含高能量的电子。等离子体源2a配有电磁铁40(磁场发生装置)，该电磁铁在等离子体室容器内，在与等离子体发射孔8的等离子体发射方向22交叉的方向上产生引起电子回旋共振的磁场B。
-
公开(公告)号：CN1157756C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN01142968.2
申请日：2001-11-30
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01J37/317 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/0041
Abstract: 离子束辐射装置被装备有等离子体产生装置30，该等离子束产生装置通过射频放电产生等离子体12并将所产生的等离子体供给到基片4附近。该等离子体产生装置30包括沿着轴33延伸的等离子体产生室32，该轴33沿着离子束被移动的扫描方向X延伸；被装备在其上一侧的等离子发射孔34；以及被装备在等离子体产生室32外面的磁体36，用于产生具有沿着轴33方向的磁场。由磁体36产生的磁场包含一个具有沿着轴33方向且将包含在等离子体12中的离子弯转向基片的磁场，等离子体由等离子发射孔34发射出。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.02 seconds)
