公开(公告)号：CN104584228A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201280075389.5

申请日：2012-08-23

Applicant: 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 河原敏男 ,  冈本一将 ,  松本和彦 ,  宇都宫里佐 ,  松叶晃明 ,  松本均

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78687 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 薄膜晶体管10具备硅基板1、沟道层2、源极电极3及漏极电极4。沟道层2、源极电极3及漏极电极4配置在硅基板1的一主面上。沟道层2包含多个碳纳米墙薄膜21～25，多个碳纳米墙薄膜21～25并列配置在源极电极3与漏极电极4之间，多个碳纳米墙薄膜21～25的其中一端接触源极电极3，多个碳纳米墙薄膜21～25的另一端接触漏极电极4。绝缘膜及栅极电极配置在硅基板1的背面侧。

公开(公告)号：CN103648978A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280032880.X

申请日：2012-06-26

Applicant: 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 河原敏男 ,  冈本一将 ,  松本和彦 ,  宇都宫里佐 ,  松叶晃明 ,  松本均

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B31/0293 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/18 ,  Y10T428/24612

Abstract: 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。

公开(公告)号：CN103648978B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280032880.X

申请日：2012-06-26

Applicant: 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 河原敏男 ,  冈本一将 ,  松本和彦 ,  宇都宫里佐 ,  松叶晃明 ,  松本均

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B31/0293 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/18 ,  Y10T428/24612

Abstract: 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。

公开(公告)号：CN105891234A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610079699.4

申请日：2016-02-04

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 冈田直喜 ,  大木秀人 ,  藤根正义 ,  宇都宫里佐

IPC: G01N22/00

CPC classification number: G01N22/00

Abstract: 本发明提供一种高分子材料的劣化诊断方法及高分子材料的劣化诊断装置，本发明的高分子材料的劣化诊断方法，进行用于电气设备的高分子材料的劣化诊断，对诊断对象的所述高分子材料照射1GHz～50GHz内的任意的频率的电波，由基于所照射的电波的来自所述高分子材料的出射波测定复介电常数，并根据所述介电常数的至少实数部的值进行所述高分子材料的劣化诊断。藉此，可容易且适当地进行诊断对象的高分子材料的劣化诊断。

公开(公告)号：CN103387218A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310165948.8

申请日：2013-05-08

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 日方威 ,  大久保总一郎 ,  宇都宫里佐 ,  东勇吾

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B31/0226 ,  B01J4/008 ,  B01J15/005 ,  B01J19/1887 ,  B01J2219/00058 ,  B01J2219/00135 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  Y10T428/19

Abstract: 本发明提供一种用于制造弯曲等的发生得以减少的碳纳米结构体的方法。本发明的制造碳纳米结构体的方法包括以下步骤：制备基体，其由包括催化剂的催化剂部件和分离部件形成，催化剂部件和分离部件彼此接触或彼此成为一体（制备步骤（S10））；将基体中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分氧化（氧化步骤（S20））；使含碳原料气体与催化剂部件和/或分离部件接触（CNT生长步骤（S30））；以及使碳纳米结构体生长（CNT生长步骤（S30））。在CNT生长步骤（S30）中，通过加热基体同时将分离部件与催化剂部件分开，使碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件之间的分离界面区域中生长。