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公开(公告)号：CN103387218A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310165948.8
申请日：2013-05-08
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
CPC classification number: C01B31/0226 , B01J4/008 , B01J15/005 , B01J19/1887 , B01J2219/00058 , B01J2219/00135 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , Y10T428/19
Abstract: 本发明提供一种用于制造弯曲等的发生得以减少的碳纳米结构体的方法。本发明的制造碳纳米结构体的方法包括以下步骤：制备基体，其由包括催化剂的催化剂部件和分离部件形成，催化剂部件和分离部件彼此接触或彼此成为一体（制备步骤（S10））；将基体中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分氧化（氧化步骤（S20））；使含碳原料气体与催化剂部件和/或分离部件接触（CNT生长步骤（S30））；以及使碳纳米结构体生长（CNT生长步骤（S30））。在CNT生长步骤（S30）中，通过加热基体同时将分离部件与催化剂部件分开，使碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件之间的分离界面区域中生长。
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公开(公告)号：CN103415903A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012168.3
申请日：2012-03-08
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
IPC: H01G11/36
CPC classification number: H01G9/048 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , C01B32/168 , C01B32/176 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , H01G11/36 , Y02E60/13
Abstract: 本发明能够控制碳纳米结构体的几何形状和电特性。根据本发明的加工碳纳米结构体的方法包括以下步骤：制备碳纳米结构体（例如，碳纳米管（1））（CNT制备步骤）；以及在振动所述碳纳米管（1）的同时，使所述碳纳米管（1）暴露于能量束（例如，电子束）下（暴露步骤）。这有助于改变碳纳米管（1）的长度和电特性。
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公开(公告)号：CN105073635A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480010925.2
申请日：2014-01-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/02 , B01J23/745
CPC classification number: C01B31/0233 , B01J23/74 , B01J23/745 , B01J35/0013 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/162 , C23C16/04 , C23C16/26 , C23C16/46
Abstract: 用于制造碳纳米结构体的方法包括用于制备基体的制备步骤(S10)和氧化步骤(S20)以及用于使碳纳米颗粒生长的步骤(S30)。在制备基体的步骤中，制备了这样的基体，其中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分被氧化。在步骤(S30)中，碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件的分离界面区域中生长。步骤(S30)包括以下步骤的至少一个：向催化剂部件中面向所述分离界面的区域的部分局部地供给原料气体的步骤，其中所述碳纳米结构体在所述分离界面区域生长；以及局部地加热所述分离界面区域的步骤。该方法使得能够提供一种抑制弯曲等情况的发生的长碳纳米结构体和用于制造该碳纳米结构体的方法，以及在制造该纳米结构体的方法中使用的制造装置。
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公开(公告)号：CN103387218B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310165948.8
申请日：2013-05-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B32/15
CPC classification number: C01B31/0226 , B01J4/008 , B01J15/005 , B01J19/1887 , B01J2219/00058 , B01J2219/00135 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , Y10T428/19
Abstract: 本发明提供一种用于制造弯曲等的发生得以减少的碳纳米结构体的方法。本发明的制造碳纳米结构体的方法包括以下步骤：制备基体，其由包括催化剂的催化剂部件和分离部件形成，催化剂部件和分离部件彼此接触或彼此成为一体制备步骤（S10））；将基体中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分氧化（氧化步骤（S20））；使含碳原料气体与催化剂部件和/或分离部件接触（CNT生长步骤S30））；以及使碳纳米结构体生长（CNT生长步骤S30））。在CNT生长步骤（S30）中，通过加热基体同时将分离部件与催化剂部件分开，使碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件之间的分离界面区域中生长。
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公开(公告)号：CN105073635B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201480010925.2
申请日：2014-01-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B32/15 , B01J23/745
CPC classification number: C01B31/0233 , B01J23/74 , B01J23/745 , B01J35/0013 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/162 , C23C16/04 , C23C16/26 , C23C16/46
Abstract: 用于制造碳纳米结构体的方法包括用于制备基体的制备步骤(S10)和氧化步骤(S20)以及用于使碳纳米颗粒生长的步骤(S30)。在制备基体的步骤中，制备了这样的基体，其中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分被氧化。在步骤(S30)中，碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件的分离界面区域中生长。步骤(S30)包括以下步骤的至少一个：向催化剂部件中面向所述分离界面的区域的部分局部地供给原料气体的步骤，其中所述碳纳米结构体在所述分离界面区域生长；以及局部地加热所述分离界面区域的步骤。该方法使得能够提供一种抑制弯曲等情况的发生的长碳纳米结构体和用于制造该碳纳米结构体的方法，以及在制造该纳米结构体的方法中使用的制造装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105073252A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480009989.0
申请日：2014-02-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B01J23/755 , B01J21/185 , B01J23/20 , B01J23/24 , B01J23/34 , B01J23/48 , B01J23/56 , B01J23/74 , B01J35/0033 , B01J37/0238 , B01J37/349 , C01B32/05 , C01B32/15
Abstract: 本发明中提供了一种具有基体部件(5)和碳纳米结构体(10)的多孔部件。基体部件(5)包括孔隙率为80％或更高的多孔体。碳纳米结构体(10)形成在基体部件(5)的表面上，且具有100nm或更小的宽度。还提供一种催化剂部件，其具有位于碳纳米结构体的表面上的催化剂。
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公开(公告)号：CN105073252B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201480009989.0
申请日：2014-02-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B01J23/42 , C01B32/15 , C01B32/16 , C01B32/205
CPC classification number: B01J23/755 , B01J21/185 , B01J23/20 , B01J23/24 , B01J23/34 , B01J23/48 , B01J23/56 , B01J23/74 , B01J35/0033 , B01J37/0238 , B01J37/349 , C01B32/05 , C01B32/15
Abstract: 本发明中提供了一种具有基体部件(5)和碳纳米结构体(10)的多孔部件。基体部件(5)包括孔隙率为80％或更高的多孔体。碳纳米结构体(10)形成在基体部件(5)的表面上，且具有100nm或更小的宽度。还提供一种催化剂部件，其具有位于碳纳米结构体的表面上的催化剂。
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公开(公告)号：CN104584228A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201280075389.5
申请日：2012-08-23
Applicant: 学校法人中部大学 , 国立大学法人北海道大学 , 国立大学法人大阪大学 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78687 , H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 薄膜晶体管10具备硅基板1、沟道层2、源极电极3及漏极电极4。沟道层2、源极电极3及漏极电极4配置在硅基板1的一主面上。沟道层2包含多个碳纳米墙薄膜21～25，多个碳纳米墙薄膜21～25并列配置在源极电极3与漏极电极4之间，多个碳纳米墙薄膜21～25的其中一端接触源极电极3，多个碳纳米墙薄膜21～25的另一端接触漏极电极4。绝缘膜及栅极电极配置在硅基板1的背面侧。
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公开(公告)号：CN103648978A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032880.X
申请日：2012-06-26
Applicant: 学校法人中部大学 , 国立大学法人北海道大学 , 国立大学法人大阪大学 , 日新电机株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01B31/0293 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/18 , Y10T428/24612
Abstract: 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。
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公开(公告)号：CN103648978B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280032880.X
申请日：2012-06-26
Applicant: 学校法人中部大学 , 国立大学法人北海道大学 , 国立大学法人大阪大学 , 日新电机株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01B31/0293 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/18 , Y10T428/24612
Abstract: 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。
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