公开(公告)号：CN105073635B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201480010925.2

申请日：2014-01-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日方威 ,  大久保总一郎 ,  宇都宫里佐 ,  东勇吾 ,  藤田淳一 ,  村上胜久

IPC: C01B32/15 ,  B01J23/745

CPC classification number: C01B31/0233 ,  B01J23/74 ,  B01J23/745 ,  B01J35/0013 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/162 ,  C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/46

Abstract: 用于制造碳纳米结构体的方法包括用于制备基体的制备步骤(S10)和氧化步骤(S20)以及用于使碳纳米颗粒生长的步骤(S30)。在制备基体的步骤中，制备了这样的基体，其中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分被氧化。在步骤(S30)中，碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件的分离界面区域中生长。步骤(S30)包括以下步骤的至少一个：向催化剂部件中面向所述分离界面的区域的部分局部地供给原料气体的步骤，其中所述碳纳米结构体在所述分离界面区域生长；以及局部地加热所述分离界面区域的步骤。该方法使得能够提供一种抑制弯曲等情况的发生的长碳纳米结构体和用于制造该碳纳米结构体的方法，以及在制造该纳米结构体的方法中使用的制造装置。

公开(公告)号：CN105073635A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480010925.2

申请日：2014-01-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日方威 ,  大久保总一郎 ,  宇都宫里佐 ,  东勇吾 ,  藤田淳一 ,  村上胜久

IPC: C01B31/02 ,  B01J23/745

CPC classification number: C01B31/0233 ,  B01J23/74 ,  B01J23/745 ,  B01J35/0013 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/162 ,  C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/46

Abstract: 用于制造碳纳米结构体的方法包括用于制备基体的制备步骤(S10)和氧化步骤(S20)以及用于使碳纳米颗粒生长的步骤(S30)。在制备基体的步骤中，制备了这样的基体，其中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分被氧化。在步骤(S30)中，碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件的分离界面区域中生长。步骤(S30)包括以下步骤的至少一个：向催化剂部件中面向所述分离界面的区域的部分局部地供给原料气体的步骤，其中所述碳纳米结构体在所述分离界面区域生长；以及局部地加热所述分离界面区域的步骤。该方法使得能够提供一种抑制弯曲等情况的发生的长碳纳米结构体和用于制造该碳纳米结构体的方法，以及在制造该纳米结构体的方法中使用的制造装置。