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公开(公告)号:CN120076460A
公开(公告)日:2025-05-30
申请号:CN202510511488.2
申请日:2025-04-23
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
IPC: H10F71/00 , H10F77/14 , H10F77/60 , H10F77/00 , C01B32/184
Abstract: 本发明提供了一种以石墨烯为衬底的光芯片的制备方法及光芯片,制备方法包括:选择半导体衬底,并通过水相法制备出石墨烯膜;将制备出的石墨烯薄膜与转移介质结合,以转移到半导体衬底上,并去除转移介质,得到石墨烯衬底层;在得到的石墨烯衬底层上进行微结构处理,并生长半导体层;利用化学腐蚀去除传统半导体衬底,得到制备好的光芯片。本发明能够解决传统的衬底生长光芯片技术的芯片散热能力和性能的不足问题。
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