公开(公告)号：CN119943786A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510361070.8

申请日：2025-03-26

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 景希权 ,  巫君杰 ,  包中浩 ,  仲悦 ,  王伟 ,  梁嘉乐 ,  王雷 ,  牛春强 ,  章星瑜 ,  刘罡 ,  于庆南 ,  郭业才 ,  桂桑

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了一种芯片界面微流道水冷散热器，涉及芯片散热技术领域，包括芯片、盖板，所述芯片的背部设置所述盖板，所述盖板的下板体设置有散热结构；所述散热结构包括水冷散热结构及散热鳍板，所述盖板的下板体设置所述水冷散热结构，所述水冷散热结构为发散转角式结构，且所述水冷散热结构的进水口设置在与芯片中心相对应的位置，出水口设置在水冷散热结构的四周；所述散热鳍板设置在水冷散热结构的下侧。本发明通过改变流道几何分布控制水流速度，加速中心芯片热源散热速度，可对芯片进行良好散热。

公开(公告)号：CN119270441A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411378710.8

申请日：2024-09-30

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 章星瑜 ,  于庆南 ,  龚雅茹 ,  胡培显 ,  顾昕 ,  王雷 ,  毕海青 ,  梁嘉乐 ,  王伟 ,  郭业才 ,  张永宏

IPC: G02B6/42 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明公开了一种半导体光放大器和石墨烯的散热阵列微结构及其制备方法，包括从上到下依次设置的半导体光放大器芯片、石墨烯散热基板和热沉，所述半导体光放大器芯片的下表面与石墨烯散热基板的上表面通过第一键合层进行键合，所述石墨烯散热基板的下表面通过第二键合层进行键合。本发明采用二维石墨烯材料，其热导率为2000‑5000 W/m•k，可以大大提高SOA散热能力；同时，对键合面采取了独特的微型阵列结构处理，可至少增大20%左右的接触面积，大大提高了热传递速率；本发明改善了SOA的散热能力，进一步提高了SOA的性能和可靠性，为5G时代的光纤通信发展增加技术保障。

公开(公告)号：CN118572512A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410613303.4

申请日：2024-05-17

Applicant: 无锡学院

Inventor： 龚雅茹 ,  于庆南 ,  章星瑜 ,  牛春强 ,  王雷 ,  张扬 ,  景希权 ,  王伟 ,  桂桑 ,  郭业才 ,  张永宏

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/50

Abstract: 本发明公开了一种具有高散热性能的半导体光放大器及其制备方法，包括键合为一体的半导体光放大器芯片和石墨烯基板，其中，所述半导体光放大器芯片的键合面设有若干个均匀分布的凸起微结构，所述石墨烯基板的键合面设有若干个均匀分布的凹槽微结构，所述凸起微结构与所述凹槽微结构互相匹配，所述半导体光放大器芯片的凸起微结构能够嵌入所述石墨烯基板的凹槽微结构内。本发明通过石墨烯粘附能低、表面能高的特点，直接将经过微结构化处理后的石墨烯与半导体光放大器键合。相比于传统的半导体光放大器利用陶瓷基板进行导热，本发明将陶瓷基板替换为导热性更好的石墨烯，且无需其它胶类辅助粘黏，大大提高了散热性能，简化了工序流程。