公开(公告)号：CN120076461A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510511511.8

申请日：2025-04-23

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 黄紫馨 ,  于庆南 ,  冯婉婷 ,  梁嘉乐 ,  仲悦 ,  刘一芝 ,  顾诗雨 ,  王雷 ,  甘宜霖 ,  巫君杰 ,  徐颢桉 ,  王伟 ,  桂桑 ,  郭业才

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/60

Abstract: 本发明提供了一种侧面喷涂石墨烯薄膜的光芯片的制备方法及光芯片，涉及半导体技术领域。本发明的方法包括：将待喷涂石墨烯的光芯片放置于金属片上，衬底与金属片直接接触，并引出导线接地；在光芯片侧面放置两片挡板，挡板中间设有与光芯片侧面等长宽的镂空部分，光芯片通过镂空部分固定在挡板上；将石墨烯粉末和空气通过供粉管和供气管进入喷枪，产生带电和不带电的石墨烯粉末；通过喷嘴引导粉末飞向光芯片侧面，使带电石墨烯粉末附着于其上；最后将光芯片置于烤箱中烘烤，冷却至室温，使石墨烯薄膜固化。该方法使用的设备简单、操作方便，能有效增大SOA芯片的散热面积，提高散热效率，降低功耗，提升半导体光放大器的效率。

公开(公告)号：CN120048807A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510511387.5

申请日：2025-04-23

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 张扬 ,  王伟 ,  张永宏 ,  章星瑜 ,  王光辉 ,  梁嘉乐 ,  王雷 ,  顾诗雨 ,  巫君杰 ,  于庆南 ,  刘罡 ,  桂桑 ,  郭业才

IPC: H01L23/367 ,  C23C16/27 ,  H01L21/48 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供了一种光芯片的CVD金刚石散热结构及其制备方法，涉及热沉片技术领域，结构包括多片热沉片；所述热沉片设置在光模块芯片顶层封装材料砷化镓上；各个所述热沉片之间设置有横向间距和纵向间距；各个所述热沉片构成栅格式结构。本发明借助砷化镓的电子特性和光电特性将其作为光刻基底，借助金刚石的高导热性将其作为热沉片生长在光模块芯片上。本发明在光模块芯片上添加金刚石热沉片可以满足大功率器件的散热需求，显著提高芯片的散热效果，有效地降低光模块芯片的温度，从而降低器件的损耗。

公开(公告)号：CN120076460A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510511488.2

申请日：2025-04-23

Applicant: 无锡学院 ,  无锡市德科立光电子技术股份有限公司

Inventor： 章星瑜 ,  于庆南 ,  马川 ,  李文静 ,  包中浩 ,  王茹 ,  顾诗雨 ,  王雷 ,  桂桑 ,  巫君杰 ,  刘罡 ,  王伟 ,  郭业才

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F77/60 ,  H10F77/00 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明提供了一种以石墨烯为衬底的光芯片的制备方法及光芯片，制备方法包括：选择半导体衬底，并通过水相法制备出石墨烯膜；将制备出的石墨烯薄膜与转移介质结合，以转移到半导体衬底上，并去除转移介质，得到石墨烯衬底层；在得到的石墨烯衬底层上进行微结构处理，并生长半导体层；利用化学腐蚀去除传统半导体衬底，得到制备好的光芯片。本发明能够解决传统的衬底生长光芯片技术的芯片散热能力和性能的不足问题。