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公开(公告)号:CN120076461A
公开(公告)日:2025-05-30
申请号:CN202510511511.8
申请日:2025-04-23
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种侧面喷涂石墨烯薄膜的光芯片的制备方法及光芯片,涉及半导体技术领域。本发明的方法包括:将待喷涂石墨烯的光芯片放置于金属片上,衬底与金属片直接接触,并引出导线接地;在光芯片侧面放置两片挡板,挡板中间设有与光芯片侧面等长宽的镂空部分,光芯片通过镂空部分固定在挡板上;将石墨烯粉末和空气通过供粉管和供气管进入喷枪,产生带电和不带电的石墨烯粉末;通过喷嘴引导粉末飞向光芯片侧面,使带电石墨烯粉末附着于其上;最后将光芯片置于烤箱中烘烤,冷却至室温,使石墨烯薄膜固化。该方法使用的设备简单、操作方便,能有效增大SOA芯片的散热面积,提高散热效率,降低功耗,提升半导体光放大器的效率。