公开(公告)号：CN105789331B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201410828687.8

申请日：2014-12-25

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 钟圣荣 ,  邓小社 ,  周东飞

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 一种半导体整流器件，在正向偏置时，电子电流从上电极(阳极)靠近沟槽结构表面的导电沟道向第一导电类型衬底流动，电子移动几乎不存在任何势垒，加上沟槽结构表面的电子增强效应，使得器件正向压降大大降低。反向偏置时，利用PN结(第二导电类型掺杂区和沟槽结构之间)的横向耗尽，形成空间电荷区，阻挡载流子的移动，使得器件反向漏电较小，反向电压增大。各沟槽结构的存在，也增加了器件耗散能量的结面积大小，使得器件具备高反向击穿电压以及高雪崩耐量。还公开该半导体整流器件的制作方法，该方法与沟槽MOS工艺兼容，整个工艺采用4张光刻板，简化工艺流程，降低制造成本。

公开(公告)号：CN104332494B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201310306819.6

申请日：2013-07-22

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 钟圣荣 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  周东飞

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：具有第一主面和第二主面的第一导电类型的半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括原胞区和位于所述原胞区外侧的终端保护区；形成于所述半导体衬底的第一主面侧的第一导电类型的第一半导体层，其中，所述第一半导体层的掺杂浓度高于所述半导体衬底的掺杂浓度高；形成于所述原胞区内的第一半导体层的第一主面侧的绝缘栅型晶体管单元，其中，所述绝缘栅型晶体管单元导通时，其形成有第一导电类型的沟道。与现有技术相比，其不仅可以提高该绝缘栅双极晶体管的耐压可靠性，而且还可以降低该绝缘栅双极晶体管的正向导通压降。

公开(公告)号：CN104299989B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201310306115.9

申请日：2013-07-19

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 邓小社 ,  钟圣荣 ,  周东飞 ,  王根毅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极型晶体管制造方法在制造IGBT时先在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区，然后再形成IGBT正面结构和背面结构。通过在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区来减小高温漏电流。因此，该绝缘栅双极型晶体管具有高温漏电流小的优点。

公开(公告)号：CN104425247B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201310380034.3

申请日：2013-08-27

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 钟圣荣 ,  周东飞 ,  邓小社 ,  王根毅

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L21/761 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/401 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396

摘要： 本发明公开了一种IGBT的制备方法，包括：提供衬底，在衬底的正面形成场氧层，并形成终端保护环；用有源区光刻版光刻并刻蚀掉有源区区域的场氧层，以光刻胶为掩蔽膜向衬底内注入N型离子；在场氧层被刻蚀掉的衬底上淀积并形成多晶硅栅，在多晶硅栅上形成保护层；对N型离子的注入区域进行推结后形成载流子增强区；用P阱光刻版光刻并向载流子增强区内注入P型离子，推结后形成P型体区；借助多晶硅栅向P型体区内进行自对准注入N型离子，推结后形成N型重掺杂区；在多晶硅栅两侧形成侧墙，再向N型重掺杂区内注入P型离子，推结后形成P型重掺杂区；去除保护层后进行多晶硅栅注入掺杂。本发明通过形成载流子增强区降低了器件的导通压降。

公开(公告)号：CN105810556B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201410853471.7

申请日：2014-12-31

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 芮强 ,  邓小社 ,  张硕 ,  孙永生

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种用于沟槽刻蚀的光刻版，包括第一和第二沟槽图形区域，第一沟槽图形区域包括多条宽度相等的第一条形，各第一条形的间距相等，第二沟槽图形区域包括多条宽度相等的第二条形，各第二条形的间距相等；第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽，各第二条形的间距小于各第一条形的间距。本发明还涉及一种沟槽的刻蚀方法。本发明通过设置合适的条宽和间距，使得在同时进行刻蚀的情况下，第一沟槽图形区域形成的沟槽比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度要深，能够通过一次光刻和刻蚀形成两种以上不同深度的沟槽。

公开(公告)号：CN104576359B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201310503657.5

申请日：2013-10-23

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 王根毅 ,  邓小社 ,  钟圣荣 ,  周东飞

IPC分类号： H01L21/329

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明提供一种功率二极管的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底的正面生长N型层；形成终端保护环；形成氧化层，对所述终端保护环进行推结；形成栅氧化层，在所述栅氧化层上淀积形成多晶硅层；在所述多晶硅层和所述氧化层表面淀积形成二氧化硅层；形成N型重掺杂区；形成P+区；去除所述光刻胶，以所述二氧化硅层作为掩蔽层注入P型离子，形成P型体区；进行热退火；在所述多晶硅层和所述栅氧化层被刻蚀开的开口处形成侧墙结构，并去除所述二氧化硅层；进行正面金属化及背面金属化处理。上述功率二极管的制备方法，通过调整二氧化硅层各向同性刻蚀的程度以及离子注入剂量及能量，可以调节DMOS结构的阈值电压，实现对器件正向压降的调节。

公开(公告)号：CN102468177A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010551341.X

申请日：2010-11-19

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

发明人： 赵秋森 ,  邓小社

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 本发明实施例公开了一种P型DMOS器件及其制造方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括本体层和外延层；在所述外延层上形成厚度为的掩蔽层；以所述掩蔽层为注入阻挡层在所述外延层内进行离子注入。所述P型DMOS器件包括：基底，所述基底包括本体层和外延层；其中，所述外延层包括由位于所述外延层上的厚度为的掩蔽层阻挡进行离子注入工艺而形成的离子注入层。本发明所提供的P型DMOS器件制造方法，能够在使用较小电阻率衬底的情况下，解决衬底背面自掺杂问题，因此，可以减小产品面积，降低产品成本，增加竞争力。

公开(公告)号：CN104425578B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201310374500.7

申请日：2013-08-23

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 张硕 ,  芮强 ,  王根毅 ,  邓小社

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管，其包括N型衬底，形成于N型衬底正面的正面结构和形成于N型衬底背面的背面结构。背面结构包括形成于N型衬底背面的沟槽、形成于沟槽之间的背面P+区、设置于沟槽内的多晶硅以及形成于背面P+区和多晶硅上的背面金属层。该反向导通绝缘栅双极型晶体管采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。制造该反向导通绝缘栅双极型晶体管时只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。

公开(公告)号：CN104347396B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201310311346.9

申请日：2013-07-23

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 王万礼 ,  邓小社 ,  王根毅 ,  黄璇

IPC分类号： H01L21/331

摘要： 一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，提供N型衬底；在N型衬底上形成P型掺杂层；在P型掺杂层上形成硬质层；在P型掺杂层上刻蚀形成延伸至N型衬底的沟槽；在沟槽的底部形成N型掺杂层；去除硬质层；对P型掺杂层的P型杂质和N型掺杂层的N型杂质一起进行推阱，P型杂质扩散形成P型基区，N型杂质扩散形成N型缓冲层；在沟槽表面形成栅氧介质层；在形成有栅氧介质层的沟槽中沉积多晶硅层。上述注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法中对P型掺杂层和N型掺杂层一起进行推阱，形成P型基区和N型缓冲层，只需要进行一次推阱工艺，相比于传统的注入增强型的绝缘栅双极型晶体管的制造方式，生产周期较短。

公开(公告)号：CN104425245B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201310374240.3

申请日：2013-08-23

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 张硕 ,  芮强 ,  王根毅 ,  邓小社

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，该制造方法采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。