公开(公告)号：CN109473476B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201710801871.7

申请日：2017-09-07

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  李许超

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，该横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有漂移区；在所述漂移区中形成有阱区和漏区，在所述阱区中有源区和沟道；在所述漂移区中形成有位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构，在所述深沟槽隔离结构的底部形成有交替设置的第一P型注入区和第一N型注入区，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区沿所述阱区到所述漏区的方向延伸。该横向双扩散金属氧化物半导体器件可以降低导通电阻且表面不形成高电场。该横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法具有类似的优点。

公开(公告)号：CN109473476A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201710801871.7

申请日：2017-09-07

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 何乃龙 ,  张森 ,  李许超

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，该横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有漂移区；在所述漂移区中形成有阱区和漏区，在所述阱区中有源区和沟道；在所述漂移区中形成有位于所述阱区和所述漏区之间的深沟槽隔离结构，在所述深沟槽隔离结构的底部形成有交替设置的第一P型注入区和第一N型注入区，所述第一P型注入区和所述第一N型注入区沿所述阱区到所述漏区的方向延伸。该横向双扩散金属氧化物半导体器件可以降低导通电阻且表面不形成高电场。该横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法具有类似的优点。