公开(公告)号：CN105336574A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410387498.1

申请日：2014-08-07

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 雷天飞 ,  秦仁刚

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种氮化硅薄膜的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上采用等离子增强型化学气相沉积法分两步沉积氮化硅薄膜，包括：步骤一、预沉积，所述预沉积具有较低的沉积速率；步骤二、进行主沉积直到达到氮化硅薄膜的预定厚度，所述主沉积具有较高的沉积速率。本发明还提供一种MIM电容的制作方法，其采用上述方法制作氮化硅薄膜作为电容绝缘层。采用本发明的方法，沉积的氮化硅薄膜的致密性高，降低了氮化硅薄膜中空洞出现的几率，显著提高击穿电压，并降低漏电电流，进而提高器件的可靠性和良率。

公开(公告)号：CN106610561A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510685832.6

申请日：2015-10-20

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙晓峰 ,  秦仁刚

IPC: G03F1/00

Abstract: 本发明涉及一种光刻版的形成方法，包括下列步骤：生成第一版图；对第一版图进行电阻逻辑运算，形成第二版图；根据第二版图形成光刻版；所第一版图包括第一注入区、有源区、阻挡轻掺杂漏极注入虚拟层、自对准金属硅化物阻挡层、引出端、以及位于引出端内的接触孔；将自对准金属硅化物阻挡层与有源区重合的区域作为非自对准金属硅化物电阻图形，将第一注入区内除阻挡轻掺杂漏极注入虚拟层以外的部分作为第二注入区。本发明在靠近No-salicide电阻图形的位置不会形成第二注入区，该注入也就不会对非自对准金属硅化物电阻图形对应的电阻器电阻造成影响。故本发明能够精确控制器件的非自对准金属硅化物电阻器的电阻值，提高产品的良率。

公开(公告)号：CN102930981A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110232289.6

申请日：2011-08-12

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 秦仁刚 ,  王德进 ,  何波涌

IPC: H01G4/06

CPC classification number: H01L28/75 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种电容及其制作方法，该电容采用低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯的结构，取代现有ONO电容中氧化层-氮化层-氧化层的结构，具有较高的单位电容值。另外在制作该低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯结构时，由于采用温度相对较低的低压化学气相沉积方法制作而成，因此其整个工艺产生的热量相对较低，不足以使半导体器件产生偏移，更不会使得栅极金属层或金属化硅层产生剥落。因而本发明的电容及其制作方法，可以较好的应用在0.5μm及以下的PIP电容工艺中去。

公开(公告)号：CN102930981B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110232289.6

申请日：2011-08-12

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 秦仁刚 ,  王德进 ,  何波涌

IPC: H01G4/06

CPC classification number: H01L28/75 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种电容及其制作方法，该电容采用低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯的结构，取代现有ONO电容中氧化层-氮化层-氧化层的结构，具有较高的单位电容值。另外在制作该低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯结构时，由于采用温度相对较低的低压化学气相沉积方法制作而成，因此其整个工艺产生的热量相对较低，不足以使半导体器件产生偏移，更不会使得栅极金属层或金属化硅层产生剥落。因而本发明的电容及其制作方法，可以较好的应用在0.5um及以下的PIP电容工艺中去。