公开(公告)号：CN102930981A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110232289.6

申请日：2011-08-12

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 秦仁刚 ,  王德进 ,  何波涌

IPC: H01G4/06

CPC classification number: H01L28/75 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种电容及其制作方法，该电容采用低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯的结构，取代现有ONO电容中氧化层-氮化层-氧化层的结构，具有较高的单位电容值。另外在制作该低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯结构时，由于采用温度相对较低的低压化学气相沉积方法制作而成，因此其整个工艺产生的热量相对较低，不足以使半导体器件产生偏移，更不会使得栅极金属层或金属化硅层产生剥落。因而本发明的电容及其制作方法，可以较好的应用在0.5μm及以下的PIP电容工艺中去。

公开(公告)号：CN102930981B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110232289.6

申请日：2011-08-12

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 秦仁刚 ,  王德进 ,  何波涌

IPC: H01G4/06

CPC classification number: H01L28/75 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种电容及其制作方法，该电容采用低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯的结构，取代现有ONO电容中氧化层-氮化层-氧化层的结构，具有较高的单位电容值。另外在制作该低压正硅酸乙酯-低压氮化硅-低压正硅酸乙酯结构时，由于采用温度相对较低的低压化学气相沉积方法制作而成，因此其整个工艺产生的热量相对较低，不足以使半导体器件产生偏移，更不会使得栅极金属层或金属化硅层产生剥落。因而本发明的电容及其制作方法，可以较好的应用在0.5um及以下的PIP电容工艺中去。