公开(公告)号：CN103094076A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110363887.7

申请日：2011-11-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 金宏峰 ,  张磊 ,  王德进

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于在0.18μm工艺MIM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体，所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜，其中：向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体；并且通过调节SiH4气体、NH3气体以及N2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度使得氮化硅沉积的速度降低。本发明还提供了一种MIM电容的形成方法。

公开(公告)号：CN103094076B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201110363887.7

申请日：2011-11-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 金宏峰 ,  张磊 ,  王德进

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于在0.18μm工艺MIM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体，所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜，其中：向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体；并且通过调节SiH4气体、NH3气体以及N2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度使得氮化硅沉积的速度降低。本发明还提供了一种MIM电容的形成方法。

公开(公告)号：CN102543884B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201010593583.5

申请日：2010-12-17

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王智勇 ,  王德进 ,  张磊

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/316 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明实施例公开了一种OTP器件制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底上包括选择栅和浮栅；通过预沉积和主沉积两个工艺过程在所述浮栅上形成硅化金属阻挡层；其中，所述预沉积工艺过程用于稳定腔体工艺状态，所述主沉积工艺过程用于增加形成硅化金属阻挡层的厚度。通过本发明所提供的OTP器件制造方法，能够在所述浮栅上形成较厚的硅化金属阻挡层，从而可避免后续等离子体的轰击而形成较多的损伤和缺陷，在OTP器件被编程后，可避免浮栅中的电荷泄露出去，避免了漏电流的增加，进而提高了OTP器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN102543884A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010593583.5

申请日：2010-12-17

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王智勇 ,  王德进 ,  张磊

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/316 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明实施例公开了一种OTP器件制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底上包括选择栅和浮栅；通过预沉积和主沉积两个工艺过程在所述浮栅上形成硅化金属阻挡层；其中，所述预沉积工艺过程用于稳定腔体工艺状态，所述主沉积工艺过程用于增加形成硅化金属阻挡层的厚度。通过本发明所提供的OTP器件制造方法，能够在所述浮栅上形成较厚的硅化金属阻挡层，从而可避免后续等离子体的轰击而形成较多的损伤和缺陷，在OTP器件被编程后，可避免浮栅中的电荷泄露出去，避免了漏电流的增加，进而提高了OTP器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN102810503A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201110148152.2

申请日：2011-06-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金宏峰 ,  张磊 ,  王德进

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底上具有浅槽隔离区及位于所述浅槽隔离区之外区域上的垫氧化层；对所述垫氧化层进行部分漂洗，以使漂洗后剩余垫氧化层的厚度满足预设要求。本发明所提供的半导体器件制造方法，在STI工艺后，对基底上的垫氧化层进行部分漂洗，且使得漂洗后剩余垫氧化层的厚度满足预设要求，因此，该方法相对现有技术来说，减少了对垫氧化层进行漂洗的时间，且节省了清洗基底及在基底上生长氧化层的工艺步骤，这一方面可避免器件上的倒三角形尖角被撑大，进而避免器件“尖峰效应”的产生；另一方面可节约生产成本，缩短生产时间，提高产量。