公开(公告)号：CN103050436B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201210394108.4

申请日：2012-10-17

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： D.沙里夫 ,  任广麟 ,  谢丽仪 ,  萧永宽

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及形成具有扩展基底的导电柱的半导体器件和方法。半导体器件具有第一半导体管芯和在第一半导体管芯中的导电通孔。可以通过使通孔部分地延伸通过第一半导体管芯的第一表面来形成导电通孔。去除第一半导体管芯的第二表面的一部分以暴露导电通孔。多个导电柱形成在第一半导体管芯的第一表面上。导电柱包括电连接到导电通孔的扩展基底。导电柱的扩展基底的宽度大于导电柱的本体的宽度。导电层形成在第一半导体管芯的第二表面上。将导电层电连接到导电通孔。将第二半导体管芯安装到第一半导体管芯，其中第二导电柱具有扩展基底。

公开(公告)号：CN103050436A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210394108.4

申请日：2012-10-17

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： D.沙里夫 ,  任广麟 ,  谢丽仪 ,  萧永宽

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及形成具有扩展基底的导电柱的半导体器件和方法。半导体器件具有第一半导体管芯和在第一半导体管芯中的导电通孔。可以通过使通孔部分地延伸通过第一半导体管芯的第一表面来形成导电通孔。去除第一半导体管芯的第二表面的一部分以暴露导电通孔。多个导电柱形成在第一半导体管芯的第一表面上。导电柱包括电连接到导电通孔的扩展基底。导电柱的扩展基底的宽度大于导电柱的本体的宽度。导电层形成在第一半导体管芯的第二表面上。将导电层电连接到导电通孔。将第二半导体管芯安装到第一半导体管芯，其中第二导电柱具有扩展基底。