用于自衬底切割器件的方法和设备

    公开(公告)号:CN1508850A

    公开(公告)日:2004-06-30

    申请号:CN200310123166.4

    申请日:2003-11-05

    Inventor: 刘国珍

    CPC classification number: B23K26/40 B23K2101/40 B23K2103/50

    Abstract: 本发明公开了一种用于切割包括附着于集成器件阵列的半导体衬底的晶片的方法和系统,包括将晶片放置在工作台上,如包括具有多孔安装表面的真空吸盘的可移动X-Y工作台;在切割期间和之后通过经所述孔的真空压力将晶片固定。利用具有被控制偏振的固体激光器将激光能量脉冲引向衬底来切割晶片。可以将粘膜贴附在分离的管芯上以将它们从安装表面上移走,或者管芯还可以其它方式在切割之后从晶片上移走。

    用于自衬底切割器件的方法和设备

    公开(公告)号:CN1285103C

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN200310123166.4

    申请日:2003-11-05

    Inventor: 刘国珍

    CPC classification number: B23K26/40 B23K2101/40 B23K2103/50

    Abstract: 本发明公开了一种用于切割包括附着于集成器件阵列的半导体衬底的晶片的方法和系统,包括将晶片放置在工作台上,如包括具有多孔安装表面的真空吸盘的可移动X-Y工作台;在切割期间和之后通过经所述孔的真空压力将晶片固定。利用具有被控制偏振的固体激光器将激光能量脉冲引向衬底来切割晶片。可以将粘膜贴附在分离的管芯上以将它们从安装表面上移走,或者管芯还可以其它方式在切割之后从晶片上移走。

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