公开(公告)号：CN102549775A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080029571.8

申请日：2010-07-02

Applicant: 新南创新有限公司 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 约翰·加文·克尼比尔 ,  桑托斯·什里斯特哈 ,  德克·康尼格 ,  马丁·安德鲁·格林 ,  长岛知理 ,  竹田康彦 ,  伊藤忠 ,  元广友美

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了制造热载流子能量转换结构的方法以及热载流子能量转换结构。该方法包括形成包括隧穿层的能量选择性接触部ESC；在ESC上形成载流子生成层；以及在载流子生成层上形成不具有隧穿层的半导体接触部。

公开(公告)号：CN1957478A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580013925.9

申请日：2005-04-29

Applicant: 新南创新有限公司

Inventor： 马丁·安德鲁·格林

IPC: H01L31/0264 ,  H01L29/15 ,  H01L21/36

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/127 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种人造无定形半导体材料，和一种由该材料制成的结，该结具有多个结晶半导体材料量子点(23)，其通过介电材料的基体或介电材料的薄层(21、22)大致均匀地分布以及规则地遍布于三维空间中。材料的形成过程为：首先形成介电材料的多个层，所述介电材料包括一种半导体材料的化合物；接着形成化学计量的介电材料的层(21)和半导体富裕介电材料的层(22)分别交替相叠的多个层。然后该材料被加热，促使量子点(23)通过介电材料，在三维空间中均匀地和规则地进行空间分布，而形成在介电材料的半导体富裕层中。材料的带隙和迁移率的确定是通过所选择的材料参数，包括量子点的尺寸、基体的成分、以及量子点的半导体材料，通过这样的选择，获得了所希望的参数。