公开(公告)号：CN111108577B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201880049056.2

申请日：2018-07-27

Applicant: 新加坡国立大学

Inventor： 吉荣·安东·范卡恩 ,  许新鑫 ,  桑塔那·拉曼·帕塔比拉曼 ,  冯锐迪

IPC: H01J27/20 ,  H01J37/317 ,  H01J49/14 ,  H01J37/08

Abstract: 电离室芯片、纳米孔离子源、质子束写入系统以及制造电离室芯片的方法。该方法包括以下步骤：提供第一基板，该第一基板包括在其背面形成的第一凹陷；提供附接在第一基板的背面的背衬元件，使得形成至少包括第一凹陷的腔室；在第一基板中形成与腔室流体连通的气体入口；在第一基板中形成与腔室流体连通的第一孔结构。

公开(公告)号：CN111108577A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201880049056.2

申请日：2018-07-27

Applicant: 新加坡国立大学

Inventor： 吉荣·安东·范卡恩 ,  许新鑫 ,  桑塔那·拉曼·帕塔比拉曼 ,  冯锐迪

IPC: H01J27/20 ,  H01J37/317 ,  H01J49/14 ,  H01J37/08

Abstract: 电离室芯片、纳米孔离子源、质子束写入系统以及制造电离室芯片的方法。该方法包括以下步骤：提供第一基板，该第一基板包括在其背面形成的第一凹陷；提供附接在第一基板的背面的背衬元件，使得形成至少包括第一凹陷的腔室；在第一基板中形成与腔室流体连通的气体入口；在第一基板中形成与腔室流体连通的第一孔结构。

公开(公告)号：CN116959938A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310856201.0

申请日：2018-07-27

Applicant: 新加坡国立大学

Inventor： 吉荣·安东·范卡恩 ,  许新鑫 ,  桑塔那·拉曼·帕塔比拉曼 ,  冯锐迪

IPC: H01J27/20 ,  H01J37/317 ,  H01J49/14 ,  H01J37/08

Abstract: 电离室芯片、纳米孔离子源、质子束写入系统以及制造电离室芯片的方法。该方法包括以下步骤：提供第一基板，该第一基板包括在其背面形成的第一凹陷；提供附接在第一基板的背面的背衬元件，使得形成至少包括第一凹陷的腔室；在第一基板中形成与腔室流体连通的气体入口；在第一基板中形成与腔室流体连通的第一孔结构。