Invention Publication
- Patent Title: 用于纳米孔离子源的电离室芯片及其制造方法以及质子束写入系统
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Application No.: CN202310856201.0Application Date: 2018-07-27
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Publication No.: CN116959938APublication Date: 2023-10-27
- Inventor: 吉荣·安东·范卡恩 , 许新鑫 , 桑塔那·拉曼·帕塔比拉曼 , 冯锐迪
- Applicant: 新加坡国立大学
- Applicant Address: 新加坡新加坡市
- Assignee: 新加坡国立大学
- Current Assignee: 新加坡国立大学
- Current Assignee Address: 新加坡新加坡市
- Agency: 深圳中一联合知识产权代理有限公司
- Agent 张威
- Main IPC: H01J27/20
- IPC: H01J27/20 ; H01J37/317 ; H01J49/14 ; H01J37/08
Abstract:
电离室芯片、纳米孔离子源、质子束写入系统以及制造电离室芯片的方法。该方法包括以下步骤：提供第一基板，该第一基板包括在其背面形成的第一凹陷；提供附接在第一基板的背面的背衬元件，使得形成至少包括第一凹陷的腔室；在第一基板中形成与腔室流体连通的气体入口；在第一基板中形成与腔室流体连通的第一孔结构。
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