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公开(公告)号：CN116964762A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280015157.4
申请日：2022-01-28
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/54
Abstract: 本发明的发光装置具有：基板，其具有电路布线；半导体发光元件，其安装于基板上；框体，其以包围半导体发光元件的方式在基板上竖立设置成圆环状或长圆环状；密封部，其密封框体的内壁、基板在框体内侧的上表面及半导体发光元件。密封部具有第一树脂部和第二树脂部，第一树脂部具有由以框体的中心轴为旋转轴的至少一个旋转面构成的凹状的表面；第二树脂部设置成覆盖第一树脂部的凹状的表面，且具有凸状的外表面，密封部具有所述第一树脂部的外表面与所述第二树脂部的所述外表面成一体化的外表面。
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公开(公告)号：CN115528160A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210718391.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体发光装置及其制造方法。发光装置包括：基板，其设置有第一布线和第二布线；第一元件，其包括第一电极焊盘；第二元件，其包括第二电极焊盘；第一引线，其连接第二布线和第一电极焊盘，并且包括第一引线水平部分，该第一引线水平部分相对于第一元件的上表面是水平的；第二引线，其连接第二布线和第二电极焊盘，并且包括第二引线水平部分，该第二引线水平部分相对于第一元件的上表面是水平的；以及反射树脂，该反射树脂暴露第一元件的上表面。反射树脂具有隆起的堤状的隆起部分，使得反射树脂的表面与第二引线水平部分的至少一部分接触并且沿着第二引线水平部分延伸。
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公开(公告)号：CN118302868A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280075469.4
申请日：2022-09-21
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 具备：布线基板，其在基体上设置有p电极和n电极；发光功能层，其包括与p电极和n电极连接的p型半导体层和n型半导体层，并贴合于布线基板；透光性光学元件，其具有遮光膜，该遮光膜设置于具有板形状的透光性光学体的侧面，并且覆盖在透光性光学体的背面的周缘部上而在周缘部上形成环状的框体部；以及粘接层，其以发光功能层插入框体部内侧的凹部内的方式将透光性光学元件粘接于布线基板的上表面。凹部内被所述粘接层填充。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118216012A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074318.7
申请日：2022-09-21
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 半导体发光装置具备：布线基板，其在基板背面设置有p电极和n电极；发光功能层，其包括与p电极连接的p型半导体层、发光层、以及与n电极连接的n型半导体层，并贴合于布线基板的上表面；透光性光学元件，其具有遮光膜，该遮光膜设置于具有板形状的透光性光学体的侧面，并且覆盖在透光性光学体的背面的周缘部上而在周缘部上形成环状的框体部；以及粘接层，其以发光功能层插入框体部内侧的凹部内的方式将透光性光学元件粘接于布线基板的上表面，凹部内被粘接层填充。
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公开(公告)号：CN119300563A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410884360.6
申请日：2024-07-03
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H10H20/81 , H10H20/831 , H10H20/857
Abstract: 本发明能够提供一种半导体发光元件和发光装置，实现薄型化、并且可靠性高且光输出提高。半导体发光元件具备：平板状的透光性元件基板，其具备彼此对置的两个主面；发光半导体层，其形成在元件基板的一个主面上，由n型半导体层、发光层和p型半导体层层叠而成；n电极，其经由到达n型半导体层的至少一个孔部与n型半导体层连接，并通过绝缘膜与p型半导体层电分离地设置在p型半导体层上；第一元件电极，其与n电极电连接，并沿第一方向延伸设置；以及第二元件电极，其与p型半导体层电连接，与第一元件电极隔开并且沿第一方向延伸设置，元件基板的厚度为100μm以下。
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公开(公告)号：CN118830092A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025532.8
申请日：2023-02-14
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 一种半导体发光元件(10)，其包括：绝缘性或半绝缘性的基板(11)；发光功能层(15)，其在基板(11)上依次层叠了第一极性的第一半导体层(12)、发光层(13)、第二极性的第二半导体层(14)而形成；绝缘膜(25)，其覆盖发光功能层(15)；设置在绝缘膜(25)上的第一焊盘电极(28B)和第二焊盘电极(28A)以及至少一个中间焊盘(29)，第一焊盘电极(28B)和第二焊盘电极(28A)分别与第一半导体层(12)和第二半导体层(14)电连接，至少一个中间焊盘(29)与发光功能层(15)电绝缘；焊盘分离槽(GP)，将第一焊盘电极(28B)、第二焊盘电极(28A)及中间焊盘(29)分别隔开，并且使绝缘膜(25)露出。
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公开(公告)号：CN116547801A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180081862.X
申请日：2021-12-02
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 具有半导体发光层叠体和SOI基板，半导体发光层叠体由n型半导体层、发光层及p型半导体层层叠而成，在一个面侧具有至少1个p‑电极及n‑电极，SOI基板由上层半导体层、层间绝缘膜及下层半导体层构成。SOI基板具有：经由绝缘膜设置在上层半导体层上并与p‑电极对应的第一布线电极；与上层半导体层连接并与n‑电极对应的第二布线电极；设置在下层半导体层上并通过贯穿SOI基板的第一通孔电极与第一布线电极连接的阳极；经由绝缘膜设置在下层半导体层上并通过到达上层半导体层的第二通孔电极与上层半导体层连接的阴极，p‑电极和n‑电极分别与第一布线电极和第二布线电极接合。
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