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公开(公告)号：CN117116958A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310588181.3
申请日：2023-05-23
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件，包括半透明基板、多个发光元件、绝缘层、第一电极焊盘以及第二电极焊盘。每个发光元件包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极。发光层形成在第一半导体层上。第一电极形成在第一半导体层上。第二电极形成在第二半导体层上。绝缘层覆盖基板上的多个发光元件使得形成第一开口和第二开口。第一开口使多个发光元件当中的在行的一端侧的发光元件的第一电极暴露。第二开口使多个发光元件当中的在行的另一端侧的发光元件的第二电极暴露。第一电极焊盘覆盖第一开口并且从绝缘层上的一个区域之上的第一开口形成。第二电极焊盘覆盖第二开口并且从与绝缘层上的一个区域间隔开的另一区域之上的第二开口形成。
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公开(公告)号：CN101008080A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610004759.2
申请日：2006-01-27
Abstract: 提供一种成膜装置，在加热状态的处理基板(5)的表面上，使多种的原料气体发生反应而进行成膜，其中所述处理室(1)被分为加热室(1a)与反应室(1b)，在与露出在反应室(1b)的处理基板(5)相对的地方，在与反应室(1b)相连的状态下设置原料气体的排气管(7)，对所述处理基板(5)的表面，在分别独立的状态下提供各原料气体的供给口(11、12)，被配置成位于排气管(7)的外侧。由此在处理基板(5)的附近使原料气体发生反应，在处理基板(5)上形成良好的结晶成膜。本发明的成膜装置可以防止原料气体到达处理基板之前发生反应，使来自处理基板的辐射热的影响最小化，而且可以使反应室的气体的动作更有益于结晶成膜。
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公开(公告)号：CN118830092A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025532.8
申请日：2023-02-14
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 一种半导体发光元件(10)，其包括：绝缘性或半绝缘性的基板(11)；发光功能层(15)，其在基板(11)上依次层叠了第一极性的第一半导体层(12)、发光层(13)、第二极性的第二半导体层(14)而形成；绝缘膜(25)，其覆盖发光功能层(15)；设置在绝缘膜(25)上的第一焊盘电极(28B)和第二焊盘电极(28A)以及至少一个中间焊盘(29)，第一焊盘电极(28B)和第二焊盘电极(28A)分别与第一半导体层(12)和第二半导体层(14)电连接，至少一个中间焊盘(29)与发光功能层(15)电绝缘；焊盘分离槽(GP)，将第一焊盘电极(28B)、第二焊盘电极(28A)及中间焊盘(29)分别隔开，并且使绝缘膜(25)露出。
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公开(公告)号：CN116547801A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180081862.X
申请日：2021-12-02
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 具有半导体发光层叠体和SOI基板，半导体发光层叠体由n型半导体层、发光层及p型半导体层层叠而成，在一个面侧具有至少1个p‑电极及n‑电极，SOI基板由上层半导体层、层间绝缘膜及下层半导体层构成。SOI基板具有：经由绝缘膜设置在上层半导体层上并与p‑电极对应的第一布线电极；与上层半导体层连接并与n‑电极对应的第二布线电极；设置在下层半导体层上并通过贯穿SOI基板的第一通孔电极与第一布线电极连接的阳极；经由绝缘膜设置在下层半导体层上并通过到达上层半导体层的第二通孔电极与上层半导体层连接的阴极，p‑电极和n‑电极分别与第一布线电极和第二布线电极接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118302868A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280075469.4
申请日：2022-09-21
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 具备：布线基板，其在基体上设置有p电极和n电极；发光功能层，其包括与p电极和n电极连接的p型半导体层和n型半导体层，并贴合于布线基板；透光性光学元件，其具有遮光膜，该遮光膜设置于具有板形状的透光性光学体的侧面，并且覆盖在透光性光学体的背面的周缘部上而在周缘部上形成环状的框体部；以及粘接层，其以发光功能层插入框体部内侧的凹部内的方式将透光性光学元件粘接于布线基板的上表面。凹部内被所述粘接层填充。
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公开(公告)号：CN118216012A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074318.7
申请日：2022-09-21
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 半导体发光装置具备：布线基板，其在基板背面设置有p电极和n电极；发光功能层，其包括与p电极连接的p型半导体层、发光层、以及与n电极连接的n型半导体层，并贴合于布线基板的上表面；透光性光学元件，其具有遮光膜，该遮光膜设置于具有板形状的透光性光学体的侧面，并且覆盖在透光性光学体的背面的周缘部上而在周缘部上形成环状的框体部；以及粘接层，其以发光功能层插入框体部内侧的凹部内的方式将透光性光学元件粘接于布线基板的上表面，凹部内被粘接层填充。
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公开(公告)号：CN101008080B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200610004759.2
申请日：2006-01-27
Abstract: 提供一种成膜装置，在加热状态的处理基板(5)的表面上，使多种的原料气体发生反应而进行成膜，其中所述处理室(1)被分为加热室(1a)与反应室(1b)，在与露出在反应室(1b)的处理基板(5)相对的地方，在与反应室(1b)相连的状态下设置原料气体的排气管(7)，对所述处理基板(5)的表面，在分别独立的状态下提供各原料气体的供给口(11、12)，被配置成位于排气管(7)的外侧。由此在处理基板(5)的附近使原料气体发生反应，在处理基板(5)上形成良好的结晶成膜。本发明的成膜装置可以防止原料气体到达处理基板之前发生反应，使来自处理基板的辐射热的影响最小化，而且可以使反应室的气体的动作更有益于结晶成膜。
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