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公开(公告)号:CN116169105A
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202310196813.1
申请日:2023-03-03
Applicant: 扬州大学 , 华东光电集成器件研究所 , 扬州扬福科技有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/485 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种高导热堆叠芯片结构及制备方法,堆叠结构将硅片直立起来,利用硅片侧面焊盘以及侧面焊球与基板相连,硅片与硅片之间通过正面与背面的焊盘以及焊球进行连接,如此形成一种硅片直立排列的结构。芯片直立排列结构相较于传统的三维堆叠结构,散热效果明显更好,各芯片的温度更均匀,没有出现传统三维堆叠结构中自下而上芯片温度逐渐升高的情况。
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公开(公告)号:CN116306428A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310283439.9
申请日:2023-03-22
Applicant: 扬州大学 , 扬州扬福科技有限公司
IPC: G06F30/34 , G06T17/20 , G06F30/331
Abstract: 本发明公开了一种SRAM型FPGA的辐射效应仿真方法,采用器件级建模仿真和电路级建模仿真相结合的方式,可以实现FPGA总剂量效应和单粒子效应协合作用的模拟仿真,分析多种辐射效应对FPGA工作状态的影响,解决了加速器资源有限、辐照粒子能量不易调节、经济成本高的问题,有助于掌握器件内部微观参数变化和揭示损伤机理,可以实现对器件辐射损伤敏感性评价,为开展FPGA抗辐射评价和加固设计提供技术支撑,具有经济、便捷等特点,可以用于器件抗辐照能力的评价中,有助于提高器件在航天工程应用中可靠性。
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公开(公告)号:CN118551643A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202410608965.2
申请日:2024-05-16
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0442 , G06N3/045 , G06N3/082 , G06F18/27 , G06F18/15 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06N3/048 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开了一种基于LSTM的仪表放大器电离总剂量效应预测方法,包括:通过实验获取仪表放大器电离总剂量效应的实验数据,将实验数据分为训练集和测试集,然后进行归一化处理,再将归一化后的实验数据处理成能够输入LSTM的时序序列;通过Attention机制,将时序序列中的向量乘对应不同的参数矩阵后输入到LSTM中,通过输入门、遗忘门和输出门对输入数据进行筛选;采用五折交叉验证来确定LSTM的隐藏层中最佳神经元数量和训练轮数;加入dropout机制层来避免过拟合问题;神经网络训练完成后,通过决定系数R2对模型进行评估;利用达到精度需求的LSTM模型进行总剂量辐照衰退数据外推预测。
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