-
公开(公告)号：CN103261905B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201180059749.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01R33/0011 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01L43/12
Abstract: 一种集成磁阻装置，其中绝缘层(18)在第一表面(19)上覆盖半导体材料的衬底(17)。铁磁材料的第一磁控电阻(26)在所述绝缘层中延伸并且限定所述传感器的传感平面。铁磁材料的集中器(34)包括至少一个臂件(34a)，该臂件在与所述传感平面的横向方向上延伸并且与所述磁控电阻(26)竖直偏移。以这种方式，使垂直于所述传感平面指向的磁通线集中并转向，以便生成与所述传感平面平行的方向上指向的磁场分量。
-
公开(公告)号：CN101268350B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200580051620.7
申请日：2005-07-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L9/0045 , G01L15/00
Abstract: 本发明涉及带有双测量刻度和高满刻度值的压力传感器。具体而言，具有双测量刻度的压力传感器(15)，包括：半导体材料单块体(16)，该单块体(16)具有第一主表面(16a)、主体区(17)、和压力(P)作用于其上的敏感部分(33)；形成在单块体(16)中、并由膜片(19)与第一主表面(16a)分隔的空腔(18)，膜片(19)设置在敏感部分(33)中、并由主体区(17)环绕，膜片(19)是柔性的，并作为压力(P)的函数是可变形的；对压力(P)的第一值敏感的压力电阻型低压力感应元件(28)，压力电阻型低压力感应元件(28)集成在膜片(19)内，并具有作为膜片(19)变形的函数而可变化的电阻；另外，同样是压力电阻型的高压力感应元件(29)形成在主体区(17)中的敏感部分(33)内，并具有作为压力(P)的函数而可变的电阻。高压力感应元件(29)对压力(P)的第二值敏感。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101268350A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200580051620.7
申请日：2005-07-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L9/0045 , G01L15/00
Abstract: 本发明涉及带有双测量刻度和高满刻度值的压力传感器。具体而言，具有双测量刻度的压力传感器(15)，包括：半导体材料单块体(16)，该单块体(16)具有第一主表面(16a)、主体区(17)、和压力(P)作用于其上的敏感部分(33)；形成在单块体(16)中、并由膜片(19)与第一主表面(16a)分隔的空腔(18)，膜片(19)设置在敏感部分(33)中、并由主体区(17)环绕，膜片(19)是柔性的，并作为压力(P)的函数是可变形的；对压力(P)的第一值敏感的压力电阻型低压力感应元件(28)，压力电阻型低压力感应元件(28)集成在膜片(19)内，并具有作为膜片(19)变形的函数而可变化的电阻；另外，同样是压力电阻型的高压力感应元件(29)形成在主体区(17)中的敏感部分(33)内，并具有作为压力(P)的函数而可变的电阻。高压力感应元件(29)对压力(P)的第二值敏感。
-
公开(公告)号：CN101915899B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN200910258485.3
申请日：2009-12-03
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R33/07
Abstract: 本发明涉及宽范围磁性传感器及其制造方法。一种磁性传感器由集成在同一集成设备中的磁通门传感器和至少一个霍尔传感器形成，其中磁通门传感器的磁芯由磁性区域形成，该磁性区域也操作为用于霍尔传感器的集中器。磁性区域在后置加工阶段中制造在金属化层上，其中磁通门传感器的激励线圈和感测线圈被形成；激励和感测线圈形成在容纳霍尔传感器的导电区域的半导体衬底上。
-
公开(公告)号：CN103261905A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059749.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01R33/0011 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01L43/12
Abstract: 一种集成磁阻装置，其中绝缘层(18)在第一表面(19)上覆盖半导体材料的衬底(17)。铁磁材料的第一磁控电阻(26)在所述绝缘层中延伸并且限定所述传感器的传感平面。铁磁材料的集中器(34)包括至少一个臂件(34a)，该臂件在与所述传感平面的横向方向上延伸并且与所述磁控电阻(26)竖直偏移。以这种方式，使垂直于所述传感平面指向的磁通线集中并转向，以便生成与所述传感平面平行的方向上指向的磁场分量。
-
公开(公告)号：CN101915899A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200910258485.3
申请日：2009-12-03
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R33/07
Abstract: 本发明涉及宽范围磁性传感器及其制造方法。一种磁性传感器由集成在同一集成设备中的磁通门传感器和至少一个霍尔传感器形成，其中磁通门传感器的磁芯由磁性区域形成，该磁性区域也操作为用于霍尔传感器的集中器。磁性区域在后置加工阶段中制造在金属化层上，其中磁通门传感器的激励线圈和感测线圈被形成；激励和感测线圈形成在容纳霍尔传感器的导电区域的半导体衬底上。
-
公开(公告)号：CN101268348A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200580051619.4
申请日：2005-07-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01L1/18 , B60T2270/82
Abstract: 本发明涉及了带有高满刻度值的集成式压力传感器。具体而言，在带有高满刻度值的集成式压力传感器(15)中，半导体材料单块体(16)具有第一和第二主表面(16a和16b)，第一和第二主表面(16a和16b)相对，并由基本相等的距离(w)分开。单块体(16)具有主体区(17)，主体区(17)具有邻近于第一主表面(16a)(压力(P)作用于其上)的敏感部分(23)。第一压力电阻检测元件(18)集成在敏感部分(23)中，并具有作为压力(P)的函数的可变电阻。主体区(17)是实心并且紧凑的区域，并具有基本上等于距离(w)的厚度。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.021 seconds)
