公开(公告)号：CN101268348A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200580051619.4

申请日：2005-07-22

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·里科蒂 ,  M·莫雷利 ,  L·德拉托雷 ,  A·L·维塔利

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/00 ,  G01L9/06

CPC classification number: G01L1/18 ,  B60T2270/82

Abstract: 本发明涉及了带有高满刻度值的集成式压力传感器。具体而言，在带有高满刻度值的集成式压力传感器(15)中，半导体材料单块体(16)具有第一和第二主表面(16a和16b)，第一和第二主表面(16a和16b)相对，并由基本相等的距离(w)分开。单块体(16)具有主体区(17)，主体区(17)具有邻近于第一主表面(16a)(压力(P)作用于其上)的敏感部分(23)。第一压力电阻检测元件(18)集成在敏感部分(23)中，并具有作为压力(P)的函数的可变电阻。主体区(17)是实心并且紧凑的区域，并具有基本上等于距离(w)的厚度。

公开(公告)号：CN101268350B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200580051620.7

申请日：2005-07-22

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·里科蒂 ,  M·莫雷利 ,  L·德拉托雷 ,  A·L·维塔利 ,  U·马斯特罗马特奥

IPC: G01L9/06 ,  G01L19/06

CPC classification number: G01L9/0054 ,  G01L9/0045 ,  G01L15/00

Abstract: 本发明涉及带有双测量刻度和高满刻度值的压力传感器。具体而言，具有双测量刻度的压力传感器(15)，包括：半导体材料单块体(16)，该单块体(16)具有第一主表面(16a)、主体区(17)、和压力(P)作用于其上的敏感部分(33)；形成在单块体(16)中、并由膜片(19)与第一主表面(16a)分隔的空腔(18)，膜片(19)设置在敏感部分(33)中、并由主体区(17)环绕，膜片(19)是柔性的，并作为压力(P)的函数是可变形的；对压力(P)的第一值敏感的压力电阻型低压力感应元件(28)，压力电阻型低压力感应元件(28)集成在膜片(19)内，并具有作为膜片(19)变形的函数而可变化的电阻；另外，同样是压力电阻型的高压力感应元件(29)形成在主体区(17)中的敏感部分(33)内，并具有作为压力(P)的函数而可变的电阻。高压力感应元件(29)对压力(P)的第二值敏感。

公开(公告)号：CN101268350A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200580051620.7

申请日：2005-07-22

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·里科蒂 ,  M·莫雷利 ,  L·德拉托雷 ,  A·L·维塔利 ,  U·马斯特罗马特奥

IPC: G01L9/06 ,  G01L19/06

CPC classification number: G01L9/0054 ,  G01L9/0045 ,  G01L15/00

Abstract: 本发明涉及带有双测量刻度和高满刻度值的压力传感器。具体而言，具有双测量刻度的压力传感器(15)，包括：半导体材料单块体(16)，该单块体(16)具有第一主表面(16a)、主体区(17)、和压力(P)作用于其上的敏感部分(33)；形成在单块体(16)中、并由膜片(19)与第一主表面(16a)分隔的空腔(18)，膜片(19)设置在敏感部分(33)中、并由主体区(17)环绕，膜片(19)是柔性的，并作为压力(P)的函数是可变形的；对压力(P)的第一值敏感的压力电阻型低压力感应元件(28)，压力电阻型低压力感应元件(28)集成在膜片(19)内，并具有作为膜片(19)变形的函数而可变化的电阻；另外，同样是压力电阻型的高压力感应元件(29)形成在主体区(17)中的敏感部分(33)内，并具有作为压力(P)的函数而可变的电阻。高压力感应元件(29)对压力(P)的第二值敏感。