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公开(公告)号：CN108279732A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810002884.2
申请日：2018-01-02
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本文公开了用于镜像电流的快速恢复的模拟升压电路。一种电流镜包括输入晶体管和输出晶体管，其中输入晶体管和输出晶体管的源极连接到电源电压节点。输入晶体管和输出晶体管的栅极通过开关连接。第一电流源耦合到输入晶体管以提供输入电流。复制晶体管具有连接到电源节点的源极和在镜像节点处连接到输入晶体管的栅极的栅极。第二电流源耦合到复制晶体管以提供复制电流。源极跟随器晶体管的源极连接到镜像节点，并且其栅极连接到复制晶体管的漏极。镜像节点处的电荷共享响应于开关的驱动而发生，并且源极跟随器晶体管响应于此而导通以对镜像节点放电。
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公开(公告)号：CN106887246A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610361838.2
申请日：2016-05-26
申请人： 意法半导体国际有限公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G11C7/06 , G11C11/4091
摘要： 本公开涉及用于非易失性存储器件的感测放大器及相关方法，存储器件包括相变存储(PCM)单元和互补PCM单元的阵列。列解码器耦合至PCM单元和互补PCM单元的阵列，并且感测放大器耦合至列解码器。感测放大器包括被配置为分别接收给定PCM单元和互补PCM单元的第一和第二电流的电流积分器。电流‑电压转换器耦合至电流积分器，并且被配置为接收第一和第二电流，并且分别向第一和第二节点提供给定PCM单元和互补PCM单元的第一和第二电压。逻辑电路耦合至第一和第二节点，并且被配置为响应于第一和第二电压禁用列解码器并使位线电压和互补位线电压放电。
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公开(公告)号：CN116610176A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310112286.1
申请日：2023-02-14
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本公开涉及包括电荷泵电路的电压调节器。在实施例中，电压调节器具有接收输入电压的输入节点和输出节点。电压调节器具有电荷泵电路，其接收升压控制信号以基于升压控制信号来升压输入电压。所述电压调节器还具有反馈调节电路，所述反馈调节电路被配置为接收所述输出电压根据所述输出电压提供第一操作控制信号和第二操作控制信号；阶段控制电路，所述阶段控制电路被配置为接收所述第一操作控制信号并且根据所述第一操作控制信号控制所述升压控制信号；以及滤波器，其耦合到所述输出节点，被配置为接收所述第二操作控制信号且被配置为向所述输出节点注入电荷或从所述输出节点吸收电荷，所述电荷根据所述第二操作控制信号。
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公开(公告)号：CN108279732B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810002884.2
申请日：2018-01-02
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本文公开了用于镜像电流的快速恢复的模拟升压电路。一种电流镜包括输入晶体管和输出晶体管，其中输入晶体管和输出晶体管的源极连接到电源电压节点。输入晶体管和输出晶体管的栅极通过开关连接。第一电流源耦合到输入晶体管以提供输入电流。复制晶体管具有连接到电源节点的源极和在镜像节点处连接到输入晶体管的栅极的栅极。第二电流源耦合到复制晶体管以提供复制电流。源极跟随器晶体管的源极连接到镜像节点，并且其栅极连接到复制晶体管的漏极。镜像节点处的电荷共享响应于开关的驱动而发生，并且源极跟随器晶体管响应于此而导通以对镜像节点放电。
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公开(公告)号：CN106887246B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201610361838.2
申请日：2016-05-26
申请人： 意法半导体国际有限公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G11C7/06 , G11C11/4091
摘要： 本公开涉及用于非易失性存储器件的感测放大器及相关方法，存储器件包括相变存储(PCM)单元和互补PCM单元的阵列。列解码器耦合至PCM单元和互补PCM单元的阵列，并且感测放大器耦合至列解码器。感测放大器包括被配置为分别接收给定PCM单元和互补PCM单元的第一和第二电流的电流积分器。电流‑电压转换器耦合至电流积分器，并且被配置为接收第一和第二电流，并且分别向第一和第二节点提供给定PCM单元和互补PCM单元的第一和第二电压。逻辑电路耦合至第一和第二节点，并且被配置为响应于第一和第二电压禁用列解码器并使位线电压和互补位线电压放电。
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公开(公告)号：CN106887251A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610394558.1
申请日：2016-05-16
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C2013/0078
摘要： 一种集成电路包括相变存储器(PCM)单元、耦合至PCM单元的阵列的位线。集成电路还包括第一解码器电路，具有多个晶体管，其具有第一导电型、耦合在一起并耦合至多个位线中给定位线、配置为将程序电流脉冲注入选择的PCM单元。另外，集成电路包括第二解码器电路，具有多个晶体管，其具有第二导电型、耦合在一起并耦合至给定位线、配置为在程序电流脉冲结束时给给定位线放电。
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公开(公告)号：CN106887251B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201610394558.1
申请日：2016-05-16
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 一种集成电路包括相变存储器(PCM)单元、耦合至PCM单元的阵列的位线。集成电路还包括第一解码器电路，具有多个晶体管，其具有第一导电型、耦合在一起并耦合至多个位线中给定位线、配置为将程序电流脉冲注入选择的PCM单元。另外，集成电路包括第二解码器电路，具有多个晶体管，其具有第二导电型、耦合在一起并耦合至给定位线、配置为在程序电流脉冲结束时给给定位线放电。
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公开(公告)号：CN112151093A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010582807.6
申请日：2020-06-23
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 本申请的各实施例涉及具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器。非易失性存储器设备包括存储器阵列、读取电路、列解码器级以及读取供电电压生成器。列解码器级包括可选择位线和选择开关。读取供电电压生成器包括电压调节电路和伪列解码器，该伪列解码器耦合到电压调节电路的输出，并且该伪列解码器具有与被选择的读取路径相关联的电气特性。电压调节电路被配置为：接收与被选择的位线上的期望电压值相关联的第一电气量，以及与用于被选择的位线的期望电流值相关联的第二电气量，并且生成用于列解码器级的经调节的读取供电电压。
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公开(公告)号：CN103578545B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201310332499.1
申请日：2013-07-30
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体有限公司
IPC分类号： G11C16/06
摘要： 本发明提供一种非易失性存储器器件，包括：存储器阵列(12)，其具有布置在至少一个逻辑行(20)中的多个非易失性存储器单元(11)，逻辑行(20)包括共用共同的控制线(22)的第一行(20a)和第二行(20b)；以及多个位线(BLJa、BLJb)。每个逻辑存储器单元(11)具有用于存储第一逻辑值直接存储器单元和用于存储第二逻辑值的互补存储器单元，第二逻辑值与在对应的直接存储器单元(11a)中的第一逻辑值互补。每个逻辑存储器单元(11)的直接存储器单元(11a)和互补存储器单元(11b)耦合到相应的分离的位线(BLJa、BLJb)并且被放置为一个在相应的逻辑行(20)的第一行(20a)中，并且另一个在相应的逻辑行(20)的第二行(20b)中。
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