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公开(公告)号：CN114368724A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111198768.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有改善的应力分布的MEMS器件以及其制造工艺。MEMS器件由半导体材料主体形成，所述半导体材料主体限定支撑结构。所述半导体材料主体中的贯通式腔体由所述支撑结构包围。可移动结构被悬置在所述贯通式腔体中。弹性结构在所述支撑结构与所述可移动结构之间的所述贯通式腔体中延伸。所述弹性结构具有第一部分和第二部分并且在使用中经受机械应力。所述MEMS器件还由金属区域形成，所述金属区域在所述弹性结构的所述第一部分上延伸，并且由所述弹性结构中的掩埋腔体形成。所述掩埋腔体在所述弹性结构的所述第一部分与所述第二部分之间延伸。
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公开(公告)号：CN111987213A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010444097.0
申请日：2020-05-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/09 , H01L41/29 , B05B17/06
Abstract: 本公开的实施例涉及堆叠式压电换能器的制造方法以及压电换能器。压电换能器包括半导体本体，该半导体本体具有导电材料的底部电极。压电元件在底部电极上。底部电极和压电元件上的第一保护层具有第一开口以及第二开口，压电元件的一部分通过第一开口暴露，并且底部电极的一部分通过第二开口暴露。在第一保护层上以及在第一和第二开口内的导电层被图案化以形成：在第一开口处与压电元件电接触的顶部电极、与顶部电极电接触的第一偏置条带、以及在第二开口处与底部电极电接触的第二偏置条带。
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公开(公告)号：CN217230242U
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202122476285.4
申请日：2021-10-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS器件。一种MEMS器件，包括：半导体材料主体，限定支撑结构；其中贯通式腔体被限定在半导体材料主体中并且由支撑结构包围；可移动结构，被悬置在贯通式腔体中；弹性结构，在支撑结构与可移动结构之间在贯通式腔体中延伸，弹性结构包括第一部分和第二部分并且经受机械应力；以及金属区域，在弹性结构的第一部分上延伸；其中弹性结构具有被限定在其中的掩埋腔体；以及其中掩埋腔体在弹性结构的第一部分与第二部分之间延伸。利用本公开的实施例有利地实现在可移动结构的旋转期间，导电轨不太会经受分层和/或破坏的风险，因此MEMS微反射镜具有改善的可靠性。
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公开(公告)号：CN212182361U
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202020878400.3
申请日：2020-05-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/09 , H01L41/29 , B05B17/06
Abstract: 本公开的实施例涉及压电换能器以及流体喷射装置。压电换能器包括半导体本体，该半导体本体具有导电材料的底部电极。压电元件在底部电极上。底部电极和压电元件上的第一保护层具有第一开口以及第二开口，压电元件的一部分通过第一开口暴露，并且底部电极的一部分通过第二开口暴露。在第一保护层上以及在第一和第二开口内的导电层被图案化以形成：在第一开口处与压电元件电接触的顶部电极、与顶部电极电接触的第一偏置条带、以及在第二开口处与底部电极电接触的第二偏置条带。通过所公开的实施例，可以有利地避免对顶部电极的完整性的破坏，而且可以避免压电元件经受不期望的热预算。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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