公开(公告)号：CN100570867C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200610164033.5

申请日：2006-12-05

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 佐佐木千寻 ,  岩田靖昭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/4985 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/09363 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/10681 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高输出数的多信道化及密集化了的带载封装中的半导体装置的散热性能。带载封装具有：在基材(28)上形成有引线图案(21～24)的带式载体(20)；和被搭载在带式载体(20)上、并且配设有电极图案(11～14)的半导体装置(10)。半导体装置(10)，在不与电极图案(11～14)抵触的位置具有散热用电极图案(15～17)。引线图案(21～24)，与对应的电极图案(11～14)电连接。上述带式载体(20)上形成有散热图案，该散热图案被配设在不与上述引线图案(21～24)抵触的位置，并且与对应的散热用电极图案(15～17)电热连接。

公开(公告)号：CN1979829A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610164033.5

申请日：2006-12-05

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 佐佐木千寻 ,  岩田靖昭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/4985 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/09363 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/10681 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高输出数的多信道化及密集化了的带载封装中的半导体装置的散热性能。带载封装具有：在基材(28)上形成有引线图案(21～24)的带式载体(20)；和被搭载在带式载体(20)上、并且配设有电极图案(11～14)的半导体装置(10)。半导体装置(10)，在不与电极图案(11～14)抵触的位置具有散热用电极图案(15～17)。引线图案(21～24)，与对应的电极图案(11～14)电连接。上述带式载体(20)上形成有散热图案，该散热图案被配设在不与上述引线图案(21～24)抵触的位置，并且与对应的散热用电极图案(15～17)电热连接。

公开(公告)号：CN101419957A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810172920.6

申请日：2008-10-24

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 岩田靖昭 ,  佐佐木千寻

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/36 ,  H01L25/00 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/4985 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/0281 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/10681 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。通过仅由布线连接到常规半导体芯片的热量排放，在新近的半导体器件中可能不能获得足够的热量排放性能。根据本发明的一方面的半导体器件包括：柔性衬底，包括第一主表面和第二主表面；半导体芯片；第一导热层，形成柔性衬底的第一主表面上并电连接到半导体芯片；和第二导热层，形成在柔性衬底的第二主表面上并与半导体芯片电绝缘。