公开(公告)号：CN117661114A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211024962.1

申请日：2022-08-25

Applicant: 张江国家实验室 ,  中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 龚巧瑞 ,  杭寅 ,  赵呈春 ,  陶斯亮

IPC: C30B29/12 ,  C30B15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B15/34 ,  C30B27/02 ,  G04F5/14

Abstract: 本发明提供一种掺钍氟化物晶体及其制备方法、以及使用该掺钍氟化物的固体核光钟。该掺钍氟化物晶体分别以SrF2、LiF、BaF2和LiF+BaF2为基质原料，以为ThF4掺杂剂原料，按照预先设定的原料的摩尔百分比，通过熔体法生长工艺，获得Th:SrF2、Th:LiF、Th:BaF2和Th:BaLiF3单晶。本发明的掺钍氟化物晶体熔点低、组分简单，有利于实现高品质晶体生长；带隙极宽，在真空紫外波段具有高的透过率且具有较高的Th掺杂浓度，有利于降低其在核跃迁发光波段的吸收损耗和背景发光，有利于核跃迁信号的激发和探测，能够作为优选材料应用于基于229Th原子核跃迁的固体核光钟。

公开(公告)号：CN113445131A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110719050.5

申请日：2021-06-28

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 赵呈春 ,  杭寅 ,  龚巧瑞

IPC: C30B35/00 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/30 ,  C23C14/34 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供了一种抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用。所述方法的步骤为：首先将所用氮化镓籽晶表面进行抛光后，采用腐蚀液对籽晶腐蚀，使籽晶表面位错位置产生位错腐蚀坑。之后采用在籽晶表面沉积一层覆盖材料。然后采用机械抛光法将上述步骤中腐蚀坑之外表面覆盖材料去除，最后使用此籽晶进行晶体生长获得氮化镓单晶。本发明提供的一种抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用，可以实现对位错缺陷的有效抑制，同时达到对无位错区域的充分利用，而且步骤简单，成本较低。

公开(公告)号：CN115261973A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210974430.8

申请日：2022-08-15

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 杭寅 ,  朱影 ,  龚巧瑞 ,  张宇航 ,  赵呈春 ,  何明珠 ,  蔡双

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/10 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸氧化镓晶体生长方法，尤其是针对3英寸以上的β‑Ga2O3单晶生长。所述方法主要包括装料、设置高压(0.1

公开(公告)号：CN114892261A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210382795.1

申请日：2022-04-08

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 杭寅 ,  黄从晖 ,  赵呈春 ,  李善明 ,  龚巧瑞 ,  陶斯亮

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/28 ,  C30B33/02 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开了一种三价铬离子(Cr3+)掺杂的钆钇钪铝石榴石激光晶体、制备方法及应用。本发明掺Cr3+掺杂的钆钇钪铝石榴石激光晶体的化学组分为(Gd1‑xYx)3(CrzScyAl1‑y‑z)2Al3O12，0.0001≤x≤0.9999，0.0001≤y≤0.9999，0.0005≤z≤0.02。本发明采用提拉法、下降法和热交换法生长Cr3+掺杂的钆钇钪铝石榴石晶体，该晶体Cr3+分布均匀，热导率高，化学稳定性好。该晶体是一种绿色环保、综合性能优良的可调谐激光晶体，可以获得红光和近红外激光输出。本发明提供的晶体生长方法可以生长出高质量的Cr3+掺杂的钆钇钪铝石榴石激光晶体，在工业、科研、国防、医学等众多领域有广泛的的应用前景。