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公开(公告)号：CN118136537A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410283362.X
申请日：2024-03-13
摘要： 本发明公开了一种光磁电半导体器件的封装测试系统与方法，包括：信息获取模块，用于实时获取光磁电半导体器件的综合信息数据，综合信息数据包括器件的应用场景、性能参数和可靠性要求，还包括器件的历史使用数据和市场反馈信息，以便全面理解器件的应用环境和性能特征；智能分析模块，基于计算机辅助设计平台对综合信息数据进行深度分析，获取分析结果，分析结果包括封装测试流程规划、器件的潜在故障模式预测和器件的性能退化趋势预测；自适应封装测试执行模块，用于基于分析结果，对光磁电半导体器件进行封装测试操作，其中，根据器件的实际性能和测试过程中的即时反馈，基于自适应控制模型动态调整测试参数、器件工艺以及封装流程。
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公开(公告)号：CN115497816B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202211279018.0
申请日：2022-10-19
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种半导体场效应集成电路及制备方法，包括：P型半导体衬底、第一区域、第二区域、绝缘板；所述半导体衬底上左侧设有第一区域，所述第一区域内部形成第一注入区；所述半导体衬底上右侧设有第二区域，所述第二区域内部形成第二注入区，且第一区域与第二区域共面；在第一区域与第二区域上层分别置有绝缘板。通过使用第一注入区、第二注入区对半导体集成电路进行离子注入，改善了N型半导体导电的接触质量，通过设置二氧化硅绝缘层，可以有效防止杂质往衬底表面渗透，提高器件集成电路的可靠性与稳定性。
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公开(公告)号：CN115425091B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202211225080.1
申请日：2022-10-09
IPC分类号： H01L29/808 , H01L29/45 , H01L21/337
摘要： 本发明提供了一种半导体器件薄膜结构及制备方法，包括：砷化镓衬底层：在半导体器件薄膜结构的最底层，通过飞秒激光纵向微加工形成纵向凹槽区，并通过横向切割形成横向分割区，获得砷化镓衬底层；氮化镓生长层：在砷化镓衬底层表面，通过异质分子束外延法生长氮化镓生长层；纵向P型沟道及N型栅极层：在氮化镓生长层上的纵向凹槽内进行P型氮化镓沟道生长，并在纵向P型氮化镓沟道面两侧各沉积一个纵向N型氮化镓凸台，最终形成纵向P型沟道及N型栅极层；金属电极薄膜层：在纵向P型沟道及N型栅极层上，通过真空环境蒸发淀积与电镀工艺形成鉻‑铜‑金多层导电层，获得金属电极薄膜层；并最终形成鉻‑铜‑金多层薄膜金属化半导体器件薄膜结构。
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公开(公告)号：CN116512602A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310488674.X
申请日：2023-05-04
IPC分类号： B29C64/386 , B29C64/379 , B33Y40/20 , B33Y50/00 , B33Y70/10 , B33Y80/00
摘要： 本发明提供了一种3D增材制造电子与光电器件的方法，搭建3D增材制造智能一体化平台；通过集成设计组、3D增材智能制造组、3D增材制造多功能检测组、多型一体封装组及本地云端数据共享组；通过集成设计组，进行半导体电子与光电器件的3D增材制造总体流程设计；通过3D增材智能制造组，生成3D增材制造详细工艺，进行半导体电子与光电器件的3D增材智能制造；通过3D增材制造多功能检测组，进行3D增材制造实时检测及3D增材制造最终检测测试；通过多型一体封装组进行半导体电子与光电器件的电连接及封装；通过本地云端数据共享组进行平台本地端与云端的数据共享存储及数据共享互通互备运算。
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公开(公告)号：CN113471302B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110777557.6
申请日：2021-07-09
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/40
摘要： 本发明提供了一种带内外电位保护环的肖特基二极管，包括：重掺杂硅衬底、轻掺杂外延层、轻掺杂区域以及保护介电层；其中，轻掺杂外延层与重掺杂硅衬底具有相同导电性，且在轻掺杂外延层与所述重掺杂硅衬底中通过预设方法生成所述轻掺杂区域；其中，在保护介电层中打开窗口，通过保护介电层形成与肖特基电极势垒层的阳极金属化，同时，保护介电层形成与肖特基电极势垒层的阴极金属化；其中，轻掺杂区域包括：内部保护环、外部电势环以及内部保护环平行条纹，且在外部电势环的外延层还包括：附加电势环和N型限制环；基于上述方法使得肖特基二极管的反向电压增加且降低了反向电流值，从而增加了肖特二极管的产品良率。
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公开(公告)号：CN117726295B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311765804.6
申请日：2023-12-21
IPC分类号： G06Q10/10 , G06Q50/04 , G06F30/20 , G06F113/10
摘要： 本发明提供一种光磁电半导体器件一体化智能制造系统与方法，其系统包括制造数据获取模块，用于获取制造需求数据和光磁电半导体器件的基础数据；一体化制造流程树模型构建模块，用于基于光磁电半导体器件的全流程制造工序，构建全流程制造模型和一体化制造流程树模型；制造实施模块，用于根据制造需求数据和基础数据，利用制造流程树模型，实施光磁电半导体器件一体化制造。本发明根据制造需求数据和光磁电半导体器件的基础数据，结合光磁电半导体器件的全流程制造工序，构建全流程制造模型和一体化制造流程树模型，用于实施光磁电半导体器件一体化制造，可提高光磁电半导体器件的产品制造质量，实现产品制造的可靠性和智能化程度。
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公开(公告)号：CN115188825B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210785219.1
申请日：2022-07-04
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/324 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种抗辐射金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法，属于电子工程技术领域。该器件包括抗辐射金属氧化物半导体场效应器件包括表面上具有无缺陷区域层的硅晶片。本发明的制造抗辐射金属氧化物半导体场效应器件的方法，高效率吸附半导体器件功能区中的金属与氧杂质，显著缩短形成耗尽无缺陷区域的时间。工艺过程简单，成本低。此发明所采用的方法不仅可以用于降低硅基的半导体器件与集成电路的金属与氧缺陷含量，也可以推广应用于减低化合物半导体功率器件与集成电路的衬底的金属与微缺陷含量以提高器件的抗辐射性能。
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公开(公告)号：CN113364272B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110686362.0
申请日：2021-06-21
摘要： 本发明提供了一种直流电压转换器的平稳启动系统，包括：误差放大器与软启动电路和反馈电路连接，软启动电路与反馈电路和误差放大器连接，反馈电路分别与误差放大器、软启动电路、输入控制电路以及锁定比较电路连接，输入控制电路分别与反馈电路、锁定比较电路和偏置电压源连接，偏置电压源与输入控制电路连接，锁定比较电路与反馈电路和输入控制电路连接。本发明提出的一种直流电压转换器的平稳启动系统，通过在开关稳定器电路中采用了平稳启动系统，消除稳定器输出电压跳变状况，从而达到理想的电路启动效果。
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公开(公告)号：CN115241059A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210781569.0
申请日：2022-07-04
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/3105
摘要： 本发明公开了一种用吸气剂制造半导体结构的方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：S01，在氧化气氛中进行退火；S02，在惰性气氛中进行两阶段退火。本发明的主要优点在于，氧缺陷吸附效率高，工艺过程简单，成本低。本发明所采用的方法不仅可以用于降低硅基的半导体器件与集成电路的氧缺陷含量，也可以推广应用于减低化合物半导体功率器件与集成电路的衬底的微缺陷含量。
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公开(公告)号：CN115188678B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210729895.7
申请日：2022-06-24
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/482
摘要： 本发明公开了一种微波集成电路导电互联的制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括形成以铜为主金属层的步骤。通过本发明的方法获得的互金属联具有低电阻，高耐化学(腐蚀)性，易于焊接，并且成本比原型显著降低。本发明中，通过用镍‑金金属体系覆盖铜层的表面和端面来确保耐腐蚀性。用铜层代替原型中由黄金制成的基础层，减小互联的厚度，即减小互连互联的寄生电容，提高了微波集成电路的截止频率。
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