公开(公告)号：CN108699671A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082575.X

申请日：2016-02-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄西 ,  布赖恩·E·拉塞特 ,  克里斯多弗·丹尼斯·本彻 ,  迪特尔·哈斯

IPC: C23C14/04 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0011 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C25D1/003 ,  C25D1/10 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/001

Abstract: 公开用于阴影掩模的方法和设备。阴影掩模(200)包含：由金属材料制成的框架(210)和耦接至所述框架(210)的一个或多个掩模图案(205)，所述一个或多个掩模图案(205)包括金属并且具有形成在所述一个或多个掩模图案(205)中的多个开口(215)，所述金属具有小于或等于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数，所述金属具有约5微米至约50微米的厚度并且具有形成在所述金属中的边界(355)，每个边界限定精细开口(215)，所述精细开口(215)具有形成在所述金属的基板接触表面(375)上的凹陷的表面(370)。

公开(公告)号：CN112335069A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201880094860.2

申请日：2018-06-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄曦 ,  郭炳成 ,  克里斯多弗·丹尼斯·本彻 ,  迪特尔·哈斯 ,  布赖恩·E·拉塞特

IPC: H01L51/56 ,  C23C14/04 ,  C25D1/10

Abstract: 本公开内容的实施方式提供了用于阴影掩模的方法和设备。在一个实施方式中，提供了一种阴影掩模，并且所述阴影掩模包括：框架，所述框架由金属材料制成；以及一个或多个掩模图案，所述一个或多个掩模图案耦接到所述框架，所述一个或多个掩模图案包括具有小于或等于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数的金属并具有形成在其中的多个开口，所述金属具有约5微米至约50微米的厚度并具有形成在其中的边界，所述边界各自限定精细开口，所述边界具有形成在所述边界的基板接触表面上的凹陷表面，其中所述一个或多个掩模图案中的每者在约70,000平方毫米的表面积上具有小于约150微米的平坦度。

公开(公告)号：CN108026627A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201580082211.7

申请日：2015-08-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布赖恩·E·拉塞特 ,  迪特尔·哈斯 ,  西·黄

IPC: C23C14/04 ,  C25D1/10

Abstract: 阴影掩模(200)，包含由金属材料制成的框架(210)，和耦接至所述框架(210)的一个或多个掩模图案(205)，所述一个或多个掩模图案(205)包括金属材料(所述金属材料具有小于或等于约14微米/米/摄氏度的热膨胀系数)并且具有形成在所述一个或多个掩模图案(205)中的多个开口(215)，所述金属材料具有约5微米至约50微米的厚度并且具有横跨约160毫米的长度在开口(215)之间的约+/‑3微米的间距公差(pitch tolerance)。