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公开(公告)号：CN115677361A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211241199.8
申请日：2022-10-11
申请人： 广西晶联光电材料有限责任公司
IPC分类号： C04B35/64 , C04B35/457 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种ITO靶材的常压烧结方法，属于ITO靶材加工技术领域，该常压烧结方法包括以下步骤：1、将脱脂后的靶材，烧结时垫片与承烧板的接触面采用棱支撑，垫片与靶材接触面保持光滑平整；2、放置于垫片上的靶材表面均匀铺一层氧化铝细沙；3、以0.5‑1℃/s的速度升温进行常压烧结，在950℃时通入氧气，在950℃、1050℃、1150℃、1250℃、1350℃、1450℃各保温1小时，在1520℃保温10小时，然后自然降温，所得靶材无裂纹，密度均匀性好，相对密度可达99.7%以上。本发明解决了传统ITO靶材（特别是大尺寸靶材）常压烧结工艺制造ITO靶材容易开裂、断裂和密度均匀性较差的问题。
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公开(公告)号：CN115677361B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202211241199.8
申请日：2022-10-11
申请人： 广西晶联光电材料有限责任公司
IPC分类号： C04B35/64 , C04B35/457 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种ITO靶材的常压烧结方法，属于ITO靶材加工技术领域，该常压烧结方法包括以下步骤：1、将脱脂后的靶材，烧结时垫片与承烧板的接触面采用棱支撑，垫片与靶材接触面保持光滑平整；2、放置于垫片上的靶材表面均匀铺一层氧化铝细沙；3、以0.5‑1℃/s的速度升温进行常压烧结，在950℃时通入氧气，在950℃、1050℃、1150℃、1250℃、1350℃、1450℃各保温1小时，在1520℃保温10小时，然后自然降温，所得靶材无裂纹，密度均匀性好，相对密度可达99.7%以上。本发明解决了传统ITO靶材（特别是大尺寸靶材）常压烧结工艺制造ITO靶材容易开裂、断裂和密度均匀性较差的问题。
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公开(公告)号：CN115385667B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210864490.4
申请日：2022-07-22
申请人： 广西晶联光电材料有限责任公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/626 , C23C14/08 , C23C14/30
摘要： 本发明涉及一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，以ITO残靶作为原料，通过清洗、研磨、过筛，然后按比例酸解、沉淀、清洗、掺脂、造粒，经成型后在常压下分解、脱脂，在常压或无压的氧气气氛中烧结而成。本发明以残靶作为原料，采用酸浸泡部分溶解后加入碳酸氢铵反应生成碱式碳酸铟，一可以改善粉末特性，使经酸浸泡后未完全溶解的残靶粉末粒径更加均匀并具有球状特性，二可以利用生成的碱式碳酸铟在分解时形成疏松多空的靶材结构，三可以利用碱式碳酸铟分解生成的氧化铟的更佳掺杂性能和晶粒生长性能，制造的靶材相对密度为58%‑62%，具有晶相均匀、疏松多空、性能稳定且不易开裂的特性。本发明具有节约资源、成本低、工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN115385667A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210864490.4
申请日：2022-07-22
申请人： 广西晶联光电材料有限责任公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/626 , C23C14/08 , C23C14/30
摘要： 本发明涉及一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，以ITO残靶作为原料，通过清洗、研磨、过筛，然后按比例酸解、沉淀、清洗、掺脂、造粒，经成型后在常压下分解、脱脂，在常压或无压的氧气气氛中烧结而成。本发明以残靶作为原料，采用酸浸泡部分溶解后加入碳酸氢铵反应生成碱式碳酸铟，一可以改善粉末特性，使经酸浸泡后未完全溶解的残靶粉末粒径更加均匀并具有球状特性，二可以利用生成的碱式碳酸铟在分解时形成疏松多空的靶材结构，三可以利用碱式碳酸铟分解生成的氧化铟的更佳掺杂性能和晶粒生长性能，制造的靶材相对密度为58%‑62%，具有晶相均匀、疏松多空、性能稳定且不易开裂的特性。本发明具有节约资源、成本低、工艺简单的优点。
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