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公开(公告)号：CN113600454B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110886343.2
申请日：2021-08-03
申请人： 广西大学
IPC分类号： B05D5/00 , B05D7/00 , B05D1/00 , B05D1/38 , B05D3/00 , B05D3/02 , B05D3/10 , B05D3/14 , H10N10/851 , H10N10/01
摘要： 本发明提供一种在宽禁带半导体衬底上制备无铅铁电薄膜的方法，先制备包含Ba、Mn和Ti的前驱体溶液，再将前驱体溶液旋凃到预处理好的p‑GaN衬底上，再干燥、热解、退火，重复数次之后得到无铅铁电薄膜，本发明通过溶胶凝胶合成法在宽禁带半导体衬底(GaN)上制备无铅铁电薄膜，制备得到的薄膜材料具有非常宽的负电卡效应，还具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、储能密度高、负电卡效应工作温度范围广等优点。
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公开(公告)号：CN112071640A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010981817.7
申请日：2020-09-17
申请人： 广西大学
摘要： 本发明涉及一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：1)将LaNiO3前驱体溶液旋涂于基片上制得第一湿膜；2)将步骤1)所得的第一湿膜干燥、热解，晶化制得单层LaNiO3薄膜；3)重复步骤1)和步骤2)，制得复合基底；4)将BCZT前驱体溶液旋涂于步骤3)制得复合基底上，制得第二湿膜；5)将步骤4)所得的第二湿膜干燥、热解，晶化制得单层BCZT薄膜；6)重复步骤4)和步骤5)制得多层BCZT薄膜。本发明可获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、储能密度值大、储能效率高和热稳定性良好等优点的薄膜。
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公开(公告)号：CN112062565A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010991507.3
申请日：2020-09-17
申请人： 广西大学
IPC分类号： C04B35/497 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，将原料与酒精球磨，研磨所得的混合粉烘干、压柱；所得的原料块煅烧合成，研磨后得到陶瓷颗粒；压制成陶瓷胚体；在所得陶瓷颗粒覆盖下烧结；退火，制得所需陶瓷材料。本制备方法可以在室温及以下得到较优异的电卡性能；同时，可以通过改变多元高熵原理、退火时间及温度控制陶瓷的结构与性能。本发明制备方法相对简单，是一种方便快捷的制备技术。
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公开(公告)号：CN111128682A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911377429.1
申请日：2019-12-27
申请人： 广西大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明涉及铁电薄膜制备技术领域，具体涉及一种通过衬底调控电卡性能薄膜的制备方法，属于化学工程技术领域。一种通过衬底调控电卡性能薄膜的制备方法，是将LaNiO3前驱体溶液旋涂于衬底之上，制得第一湿膜，干燥、热解、退火制得一层LaNiO3薄膜；重复前面步骤制得具有多层LaNiO3/衬底的复合基底；将Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3前驱体溶液旋涂于复合基底之上，制得第二湿膜，干燥、热解、退火制得一层Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3薄膜；重复前面步骤，制得多层Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3薄膜。本发明可获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、电卡效应大等优点的薄膜。
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公开(公告)号：CN112062564B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010981820.9
申请日：2020-09-17
申请人： 广西大学
IPC分类号： C04B35/497 , C04B35/50 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，是将PMN‑PSN前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜，干燥、热解，制得单层PMN‑PSN薄膜；重复以上，制得多层PMN‑PSN薄膜，将所得产品进行退火，即得所需薄膜材料。本发明的有益效果是：获得具有高的纯度、好的致密性、小的平均晶粒尺寸、超高的电场击穿强度等优点的薄膜；本发明制备方法相对简单，可以通过不同的晶化方式、不同的退火时长控制薄膜的结构和性能，是一种方便快捷的制备技术。
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公开(公告)号：CN112062562B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202010979464.7
申请日：2020-09-17
申请人： 广西大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：制备KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液；所得KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液旋涂于不同取向的Nb‑doped SrTiO3衬底上面，得到湿膜；干燥、热解、退火制得一层KNNS‑LT‑BZ薄膜；重复以上制得多层KNNS‑LT‑BZ薄膜。本发明制备方法相对简单，可以通过可以通过多远高熵原理、不同的晶化方式和不同的退火时长控制薄膜的结构和性能，是一种方便快捷的制备技术。
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公开(公告)号：CN112062578A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010981723.X
申请日：2020-09-17
申请人： 广西大学
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/493 , C01G53/00 , C23C26/00
摘要： 本发明涉及一种提高介电材料电场击穿强度的方法，属于物理工程技术领域。一种提高介电材料电场击穿强度的方法，是将LaNiO3前驱体溶液旋涂于Pt(111)衬底制得第一湿膜；所得第一湿膜干燥、热解、退火制得多层LaNiO3薄膜；将PLZST前驱体溶液旋涂于所得多层LaNiO3/Pt(111)上制得第二湿膜；所得第二湿膜干燥、热解、退火制得多层PLZST薄膜；选定电场下测试材料的击穿场强；将样品低温极化，得到材料的新的击穿场强。本发明低温极化过程中缺陷偶极子的高度有序化，唤醒材料更高的击穿场强。
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公开(公告)号：CN112062568A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010979496.7
申请日：2020-09-17
申请人： 广西大学
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/472 , C04B35/462 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种利用热应变诱导宽温区电卡效应PLZST基薄膜的制备方法，属于化学工程技术领域。一种利用热应变诱导宽温区电卡效应PLZST基薄膜的制备方法，包括以下步骤：将LaNiO3前驱体溶液旋涂于衬底上制得第一湿膜，将所得的第一湿膜干燥、热解，退火制得单层LaNiO3薄膜；重复以上步骤制得多层LaNiO3/Si(100)或LaNiO3/Pt(111)复合基底；将PLZST前驱体溶液旋涂于衬底上，制得第二湿膜；对所得的第二湿膜干燥、热解，制得单层PLZST薄膜；重复制得多层PLZST薄膜，其中在制备多层PLZST薄膜之前或之后还包括退火的步骤。本发明制备方法相对简单，可以通过改变衬底的种类和热处理方式来调控薄膜的结构和电卡性能。
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公开(公告)号：CN112062564A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010981820.9
申请日：2020-09-17
申请人： 广西大学
IPC分类号： C04B35/497 , C04B35/50 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，是将PMN‑PSN前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜，干燥、热解，制得单层PMN‑PSN薄膜；重复以上，制得多层PMN‑PSN薄膜，将所得产品进行退火，即得所需薄膜材料。本发明的有益效果是：获得具有高的纯度、好的致密性、小的平均晶粒尺寸、超高的电场击穿强度等优点的薄膜；本发明制备方法相对简单，可以通过不同的晶化方式、不同的退火时长控制薄膜的结构和性能，是一种方便快捷的制备技术。
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公开(公告)号：CN112062563A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010981769.1
申请日：2020-09-17
申请人： 广西大学
IPC分类号： C04B35/497 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，是将PSINT前驱体溶液旋涂在衬底上面，得到湿膜；制得的湿膜首先在300‑350℃干燥5‑10min，然后在550‑600℃热解5‑10min，最后在700‑800℃于空气氛围中退火3‑5min，得到一层PSINT薄膜；重复以上步骤多次，得到多层PSINT薄膜；另外将制得的湿膜首先在300‑400℃干燥3‑5min，然后在500‑600℃热解3‑5min，得到一层PSINT薄膜；重复上述步骤多次，得到未完全晶化的PSINT薄膜，在700‑800℃于空气氛围中晶化30‑60min，得到完全晶化的PSINT薄膜；将得到的多层PSINT薄膜和得到的完全晶化的PSINT薄膜分别退火，即得所需薄膜。获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、电卡效应大等优点的薄膜。
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