发明公开
- 专利标题: 一种提高介电材料电场击穿强度的方法
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申请号: CN202010981723.X申请日: 2020-09-17
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公开(公告)号: CN112062578A公开(公告)日: 2020-12-11
- 发明人: 彭彪林 , 唐嗣麟
- 申请人: 广西大学
- 申请人地址: 广西壮族自治区南宁市大学东路100号
- 专利权人: 广西大学
- 当前专利权人: 广西大学
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区南宁市大学东路100号
- 代理机构: 广州市华学知识产权代理有限公司
- 代理商 卢波
- 主分类号: C04B35/622
- IPC分类号: C04B35/622 ; C04B35/493 ; C01G53/00 ; C23C26/00
摘要:
本发明涉及一种提高介电材料电场击穿强度的方法,属于物理工程技术领域。一种提高介电材料电场击穿强度的方法,是将LaNiO3前驱体溶液旋涂于Pt(111)衬底制得第一湿膜;所得第一湿膜干燥、热解、退火制得多层LaNiO3薄膜;将PLZST前驱体溶液旋涂于所得多层LaNiO3/Pt(111)上制得第二湿膜;所得第二湿膜干燥、热解、退火制得多层PLZST薄膜;选定电场下测试材料的击穿场强;将样品低温极化,得到材料的新的击穿场强。本发明低温极化过程中缺陷偶极子的高度有序化,唤醒材料更高的击穿场强。