公开(公告)号：CN113600454B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110886343.2

申请日：2021-08-03

申请人： 广西大学

发明人： 孙文红 ,  彭彪林 ,  陈捷

IPC分类号： B05D5/00 ,  B05D7/00 ,  B05D1/00 ,  B05D1/38 ,  B05D3/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/10 ,  B05D3/14 ,  H10N10/851 ,  H10N10/01

摘要： 本发明提供一种在宽禁带半导体衬底上制备无铅铁电薄膜的方法，先制备包含Ba、Mn和Ti的前驱体溶液，再将前驱体溶液旋凃到预处理好的p‑GaN衬底上，再干燥、热解、退火，重复数次之后得到无铅铁电薄膜，本发明通过溶胶凝胶合成法在宽禁带半导体衬底(GaN)上制备无铅铁电薄膜，制备得到的薄膜材料具有非常宽的负电卡效应，还具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、储能密度高、负电卡效应工作温度范围广等优点。

公开(公告)号：CN113600454A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110886343.2

申请日：2021-08-03

申请人： 广西大学

发明人： 孙文红 ,  彭彪林 ,  陈捷

IPC分类号： B05D5/00 ,  B05D7/00 ,  B05D1/00 ,  B05D1/38 ,  B05D3/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/10 ,  B05D3/14 ,  H01L35/14 ,  H01L35/34

摘要： 本发明提供一种在宽禁带半导体衬底上制备无铅铁电薄膜的方法，先制备包含Ba、Mn和Ti的前驱体溶液，再将前驱体溶液旋凃到预处理好的p‑GaN衬底上，再干燥、热解、退火，重复数次之后得到无铅铁电薄膜，本发明通过溶胶凝胶合成法在宽禁带半导体衬底(GaN)上制备无铅铁电薄膜，制备得到的薄膜材料具有非常宽的负电卡效应，还具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、储能密度高、负电卡效应工作温度范围广等优点。